Bài giảng Kỹ thuật điện tử C: Chương 1 - GV. Lê Thị Kim Anh

Chia sẻ: Sasasd Asasas | Ngày: | Loại File: PDF | Số trang:14

Thêm vào BST

Báo xấu

98
lượt xem 3
download

Download Vui lòng tải xuống để xem tài liệu đầy đủ

Chương 1 "Giới thiệu về bán dẫn" thuộc bài giảng Kỹ thuật điện tử C trình bày về vật liệu bán dẫn, dòng điện trong bán dẫn, chuyển tiếp PN,... Đây là tài liệu tham khảo hữu ích cho các bạn chuyên ngành Điện - Điện tử.

Chủ đề:

Bình luận(0) Đăng nhập để gửi bình luận!

Lưu

Nội dung Text: Bài giảng Kỹ thuật điện tử C: Chương 1 - GV. Lê Thị Kim Anh

Chương 1 GIỚI THIỆU MÔN HỌC GIỚI THIỆU VỀ BÁN DẪN Tên môn học : KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ C 1.1 Vật liệu bán dẫn Phân phối giơ : 60 tiết Sô tín chỉ : 2 – Kiểm tra: 20% Thi: 80% (trắc nghiệm) - Dựa trên tính dẫn điện, vật liệu bán dẫn không GV phu trách : Lê Thi Kim Anh phải là vật liệu cách điện mà cũng không phải là vật Email : ltkanh@hcmut.edu.vn liệu dẫn điện tốt. Tài liệu tham khảo : -Theodore F.Bogart, JR - Electronic devices and Circuits - Đối với vật liệu dẫn điện, lớp vỏ ngoài cùng của 2nd Ed. , Macmillan 1991 - Millman & Taub - Pulse digital and switching waveforms nguyên tử có rất ít các electron, nó có khuynh hướng McGraw-Hill giải phóng các electron này để tạo thành electron tự - Savant, Rodent, Carpenter - Electronic Design – Circuits and Systems do và đạt đến trạng thái bền vững. - Lê Phi Yến, Nguyễn Như Anh, Lưu Phu - Ky thuật điện tư NXB Khoa học ky thuật Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử C 2 GV: Lê Thị Kim Anh - Vật liệu cách điện lại có khuynh hướng giữ lại các Ví du vê nguyên tư bán dẫn Silicon (Si) electron lớp ngoài cùng của nó để có trạng thái bền Nguyên tử bán dẫn Si, có 4 electron ở lớp ngoài cùng. vững. Hạt nhân - Vật liệu bán dẫn, nó có khuynh hướng đạt đến một nữa liên kết hóa trị trạng thái bền vững tạm thời bằng cách lấp đầy lớp liên kết con của lớp vỏ ngoài cùng. Lúc này chất bán dẫn hóa trị không có điện tích tư do va0 cũng không dẫn điện. Liên kết hóa trị - Các chất bán dẫn điển hình như Gecmanium trong tinh thê (Ge), Silicium (Si),.. Là những nguyên tô4 thuộc bán dẫn Si nhóm 4 nằm trong bảng hê thống tuần hoàn. Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử C 3 Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử C 4 GV: Lê Thị Kim Anh GV: Lê Thị Kim Anh 1
1.2 Dòng điện trong bán dẫn - Tuy nhiên, năng lượng cần để giải phóng các electron - Trong vật liệu dẫn điện có rất nhiều electron tự do. này lớn hơn đối với vật liệu dẫn điện vì chúng bị ràng - Khi ở điều kiện môi trường, nếu được hấp thu một buộc bởi các liên kết hóa trị. năng lượng nhiệt các electron này sẽ được giải Giản đô năng lượng phóng khỏi nguyên tư. - Đơn vị năng lượng qui ước trong các giản đồ này là - Khi các electron này chuyển động có hướng sẽ sinh electronvolt (eV). ra dòng điện. - Một electron khi muốn trở thành một electron tự do - Đối với vật liệu bán dẫn, các electron tự do cũng phải hấp thu đủ một lượng năng lượng xác định. được sinh ra một cách tương tư . Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử C 5 Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử C 6 GV: Lê Thị Kim Anh GV: Lê Thị Kim Anh - Các electron cũng có thể di chuyển từ lớp bên trong - Năng lượng này phụ thuộc vào dạng nguyên tử và đến lớp bên ngoài trong nguyên tử bằng cách nhận lớp mà electron này đang chiếm. thêm một lượng năng lượng bằng với chênh lệch - Năng lượng này phải đủ lớn để phá vỡ liên kết hóa năng lượng giữa hai lớp. trị giữa các nguyên tử. - Ngược lại, các electron cũng có thể mất năng lượng - Thuyết lượng tử cho phép ta nhìn mô hình nguyên và trở lại với các lớp có mức năng lượng thấp hơn. tử dựa trên năng lượng của nó, thường được biểu - Các electron tự do cũng vậy, chúng có thể giải diễn dưới dạng giản đồ năng lượng. phóng năng lượng và trở lại lớp vỏ ngoài cùng của nguyên tử. Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử C 7 Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử C 8 GV: Lê Thị Kim Anh GV: Lê Thị Kim Anh 2
- Khi nhìn trên một nguyên tử, các electron trong nguyên tử sẽ được sắp xếp vào các mức năng lượng rời rạc nhau tùy thuộc vào lớp và lớp con mà electron này chiếm. Các mức năng lượng này giống nhau cho mọi nguyên tử. - Tuy nhiên, khi nhìn trên toàn bộ vật liệu, mỗi nguyên tử còn chịu ảnh hưởng từ các tác động khác nhau bên ngoài nguyên tử. Do đó, mức năng lượng của các electron trong cùng lớp và lớp con có thể không còn bằng nhau giữa các nguyên tử. Giản đồ vùng năng lượng của một số vật liệu. Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử C 9 Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử C 10 GV: Lê Thị Kim Anh GV: Lê Thị Kim Anh 1.2.1 Lô' trống va dòng lô' trống Nhận xét - Số electron tự do trong vật liệu phụ thuộc rất nhiều - Vật liệu bán dẫn tồn tại một dạng hạt dẫn khác vào nhiệt độ và do đó độ dẫn điện của vật liệu cũng ngoài electron tự do. vậy. - Một electron tự do xuất - Nhiệt độ càng cao thì năng lượng của các electron hiện thì đồng thời nó cũng càng lớn. sinh ra một lỗ trống (hole). - Vật liệu bán dẫn có hệ số nhiệt điện trở âm. -Lỗ trống được qui ước là - Vật liệu dẫn điện có hệ số nhiệt điện trở dương. hạt dẫn mang điện tích dương. Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử C 11 Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử C 12 GV: Lê Thị Kim Anh GV: Lê Thị Kim Anh 3
- Dòng di chuyển có hướng của lô trống được gọi là - Ta thường gọi electron tự do và lỗ trống là hạt dẫn dòng lỗ trống trong bán dẫn. vì chúng có khả năng chuyển động có hướng để sinh - Khi lỗ trống di chuyển từ phải sang trái cũng đồng ra dòng điện. nghĩa với việc các electron lớp vỏ ngoài cùng di - Khi một electron tự do và lỗ trống kết hợp lại với chuyển từ trái sang phải. nhau trong vùng hóa trị, các hạt dẫn bị mất đi, và ta - Có thể phân tích dòng điện trong bán dẫn thành hai gọi quá trình này là quá trình tái hợp hạt dẫn. dòng electron: dòng electron tư do va0 dòng electron ở - Việc phá vỡ một liên kết hóa trị sẽ tạo ra một lớp vo ngoài cùng. electron tự do và một lỗ trống, do đó số lượng lỗ - Nhưng để tiện lợi người ta thường xem như dòng trống sẽ luôn bằng số lượng electron tự do. Bán dẫn điện trong bán dẫn là do dòng electron và dòng lỗ này được gọi là bán dẫn thuần hay bán dẫn nội tại trống gây ra. (intrinsic- bán dẫn loại i). Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử C 13 Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử C 14 GV: Lê Thị Kim Anh GV: Lê Thị Kim Anh 1.2.2 Dòng trôi - Ta có: - Khi một hiệu điện thế được đặt lên hai đầu bán ni = pi dẫn, điện trường sẽ làm cho các electron tự do di chuyển ngược chiều điện trường và các lỗ trống di ni: mật đô eletron (electron/cm3) chuyển cùng chiều điện trường. pi: mật đô lô trống (lô trống/cm3) - Cả hai sự di chuyển này gây ra trong bán dẫn một dòng điện có chiều cùng chiều điện trường được gọi là dòng trôi (drift current). Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử C 15 Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử C 16 GV: Lê Thị Kim Anh GV: Lê Thị Kim Anh 4
- Dòng trôi phụ thuộc nhiều vào khả năng di - Vận tốc của hạt dẫn trong điện trường E: chuyển của hạt dẫn trong bán dẫn, khả năng di chuyển được đánh giá bằng độ linh động của hạt v n = E.µ n dẫn. Độ linh động này phụ thuộc vào loại hạt dẫn cũng như loại vật liệu. v p = E.µ p Silicon Germanium µn=0.14 (m2/V.s) µn=0.38 (m2/V.s) µp=0.05 (m2/V.s) µp=0.18 (m2/V.s) Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử C 17 Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử C 18 GV: Lê Thị Kim Anh GV: Lê Thị Kim Anh - Mật độ dòng điện J: Ví du 1-1 J = Jn + Jp Một hiệu điện thế được đặt lên hai đầu của một = nq n µ n E + pq p µ p E thanh bán dẫn thuần trong hình ve. Giả sử: ni=1.5x1010 electron/cm3; µn= 0.14m2/Vs = nq n v n + pq p v p Với: µp=0.14m2/Vs J: mật độ dòng điện (A/m2) ; E cường đô điện trường(V/m) Tìm: n, p: mật độ electron tự do và lỗ trống, (hạt dẫn/m3) 1. Vận tốc electron tự do và lỗ trống; qn, qp: đơn vị điện tích electron = 1.6 x 10-19 C 2. Mật độ dòng electron tự do và lỗ trống; µn, µp: độ linh động của electron tự do và lỗ trống (m2/Vs) 3. Mật độ dòng tổng cộng; vn, vp: vận tốc electron tự do và lỗ trống, (m/s) 4. Dòng tổng cộng trong thanh bán dẫn. Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử C 19 Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử C 20 GV: Lê Thị Kim Anh GV: Lê Thị Kim Anh 5
Hướng dẫn 1. Ta có: E = U / d = 2.103 V / m v n = E.µ n = 2.8 x 10 2 m / s v p = E.µ p = 102 m / s 2. Vì vật liệu là thuần nên: p i = n i = 1.5 x 1010( / cm 3 ) = 1.5 x 1010 / 10 −6 (/ m 3 ) J n = n i .q n . v n = 0.672 A / m 2 J p = n i .q p . v p = 0.24 A / m 2 3. J = J n + J p = 0.672 + 0.24 = 0.912 A / m 2 4. Tiết diện ngang của thanh là : (20.10-3m) (20.10-3m)= 4.10-4 m2. Dòng điện: I = J .S = (0.912 A / m 2 ).(4 x 10 −4 m 2 ) = 0.365 mA Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử C 21 Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử C 22 GV: Lê Thị Kim Anh GV: Lê Thị Kim Anh Một sô lưu ý Ví du 1-2 - Điện trở có thể được tính bằng cách dùng công thức: l 1. Tính điện dẫn suất và điện trở suất của thanh bán R=ρ S dẫn trong ví dụ 1-1. - Điện dẫn, đơn vị siemens (S), được định nghĩa là nghịch đảo của điện trở; và điện dẫn suất, đơn vị S/m, 2. Dùng kết quả của câu 1 để tìm dòng trong thanh là nghịch đảo của điện trở suất: bán dẫn khi điện áp trên hai đầu của thanh là 12V. 1 σ = ρ - Điện dẫn suất của vật liệu bán dẫn có thể được tính theo công thức: σ = nq nµ n + pq pµ p Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử C 23 Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử C 24 GV: Lê Thị Kim Anh GV: Lê Thị Kim Anh 6
Hướng dẫn 1.3.3 Dòng khuếch tán - Nếu như trong bán dẫn có sự chênh lệch mật độ hạt 1. Vì bán dẫn thuần nên: dẫn thì các hạt dẫn sẽ có khuynh hướng di chuyển từ n = p = ni = pi = 1.5 x 1016 /m3 , qn = qp = 1.6 x 10-19 C nơi có mật độ hạt dẫn cao đến nơi có mật độ hạt dẫn σ = n q n µ n + p q p µ p = 4.56 x 10 −4 S / m thấp hơn nhằm cân bằng mật độ hạt dẫn. 1 - Quá trình di chuyển này sinh ra một dòng điện bên ρ= = 2192.98 Ωm σ trong bán dẫn. Dòng điện này được gọi là dòng l 2. R =ρ = 32 . 98 K Ω khuếch tán (diffusion current). S U I= = 0 . 365 mA R Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử C 25 Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử C 26 GV: Lê Thị Kim Anh GV: Lê Thị Kim Anh - Dòng khuếch tán có tính chất quá độ (thời gian tồn - Trong thực tê4, người ta sẽ tạo ra vật liệu bán dẫn tại ngắn) trừ khi sự chênh lệch mật độ được duy trì trong đó mật độ electron lớn hơn mật độ lỗ trống hoặc vật liệu bán dẫn có mật độ lỗ trống lớn hơn mật trong bán dẫn. độ electron tự do. 1.3 Bán dẫn loại P va0 bán dẫn loại N - Các vật liệu bán dẫn này được gọi là bán dẫn có pha tạp chất. - Trong bán dẫn thuần hay còn gọi là bán dẫn nội tại (intrinsic semiconductor - bán dẫn loại i) có mật độ - Bán dẫn mà electron tự do chi phối được gọi là bán electron tự do bằng với mật độ lỗ trống. dẫn loại N, và ngược lại, bán dẫn trong đó lỗ trống chi phối chủ yếu được gọi là bán dẫn loại P. Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử C 27 Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử C 28 GV: Lê Thị Kim Anh GV: Lê Thị Kim Anh 7
Cách thức tạo ra bán dẫn loại N - Người ta đặt vào bên trong bán dẫn thuần một nguyên tư tạp chất có 5 điện tư ở lớp ngoài cùng. - Nó sẽ dùng 4 điện tư đê tạo liên kết hóa trị thông thường, vì vậy điện tư còn lại sẽ có liên kết rất yếu đối với hạt nhân nguyên tư va0 dê dàng trơ thành điện tư tư do. - Khi đưa vào một lượng lớn tạp chất vào thi0 sô4 lượng electron tư do sẽ càng nhiều va0 bán dẫn được gọi là bán dẫn loại N. - Nguyên tử tạp chất lúc này được gọi là nguyên tử tạp chất cho (donor). Các vật liệu được sử dụng như tạp Cấu trúc tinh thể bán dẫn chứa một nguyên tử donor. chất cho donor thông thường là antimony, arsenic, Hạt nhân của donor ký hiệu là D. phosphorus. Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử C 29 Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử C 30 GV: Lê Thị Kim Anh GV: Lê Thị Kim Anh Cách thức tạo ra bán dẫn loại P - Bán dẫn loại P cũng được tạo ra bằng cách đưa vào bán dẫn thuần một tạp chất có 3 điện tư ở lớp ngoài cùng. - Vì vậy, trong cấu trúc tinh thê bán dẫn xảy ra sư thiếu electron va0 không đu đê tạo liên kết hóa trị, do đo4 sẽ xuất hiện lô trống bên trong bán dẫn. Càng có nhiều tạp chất thi0 sẽ có nhiều lô trống va0 bán dẫn sẽ trơ thành bán dẫn loại P. - Nguyên tử tạp chất được gọi là tạp chất nhận (acceptor). - Vật liệu thường được dùng làm tạp chất trong Cấu trúc tinh thể bán dẫn có chứa một nguyên tử acceptor. trường hợp này là aluminum, boron, gallium, indium. Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử C 31 Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử C 32 GV: Lê Thị Kim Anh GV: Lê Thị Kim Anh 8
Nhận xét - Một mối quan hệ quan trọng giữa mật độ electron - Trong vật liệu bán dẫn loại N, mặc dù số lượng và mật độ lỗ trống trong hầu hết các bán dẫn trong electron tự do nhiều hơn hẳn so với lỗ trống nhưng thực tế là: lỗ trống vẫn tồn tại trong bán dẫn. - Lượng tạp chất donor càng lớn, mật độ electron tự do càng cao và càng chiếm ưu thế so với lượng lỗ np = ni2 trống. - Do đó, trong bán dẫn loại N, electron tự do được Với: n: mật đô electron gọi là hạt dẫn đa số (hoặc hạt dẫn chủ yếu), lỗ trống p: mật đô lô trống được gọi là hạt dẫn thiểu số (hoặc hạt dẫn thứ yếu). ni: mật đô electron trong bán dẫn thuần. Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử C 33 Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử C 34 GV: Lê Thị Kim Anh GV: Lê Thị Kim Anh Ví du 1-3 Hướng dẫn 2 Một thanh silicon có mật độ electron trong bán dẫn 1. n = n i2 ( = 1.4x1016 ) = 2.3x1010 electron / m 3 thuần là 1.4x1016 electron/m3 bị kích thích bởi các p 8.5x10 21 nguyên tử tạp chất cho đến khi mật độ lỗ trống là 8.5x1021 lỗ trống/m3. Độ linh động của electron và lỗ 2. Vì p > n nên vật liệu là loại P. trống là µn=0.14m2/Vs và µp=0.14m2/Vs. 3. σ = nq n µ n + pq p µ p 1. Tìm mật độ electron trong bán dẫn đã pha tạp = 68 S / m chất. 2. Bán dẫn là loại N hay loại P? 3. Tìm độ dẫn điện của bán dẫn pha tạp chất. Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử C 35 Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử C 36 GV: Lê Thị Kim Anh GV: Lê Thị Kim Anh 9
1.4 Chuyển tiếp PN - Điện trường này gây ra h h h - + e e e A A A D D D một dòng điện trôi cùng h h h - + chiều với nó, ngược chiều e e e A A A - + D D D với dòng khuếch tán còn h h h e e gọi là dòng ngược. - + e A A A D D D - + - Ở trạng thái cân bằng, dòng khuếch tán bằng với Bán dẫn loại P Bán dẫn loại N dòng trôi. - Do sự chênh lệch về mật độ hạt dẫn ⇒ dòng khuếch tán xuất hiện. - Nói cách khác, dòng tổng đi qua tiếp xúc PN lúc này bằng không. - Việc tập trung điện tích trái dấu ở hai bên chuyển tiếp làm xuất hiện một điện trường được gọi là điện trường tiếp xúc. Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử C 37 Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử C 38 GV: Lê Thị Kim Anh GV: Lê Thị Kim Anh - Hiệu điện thế tồn tại ở hai bên chuyển tiếp được gọi là hiệu điện thế hàng rào (barrier). - Để thể hiện sự phụ thuộc của hiệu điện thế vào kT  N A N D  nhiệt độ, người ta đưa ra khái niệm điện thế nhiệt: V0 = Vγ = ln  q  n i2  kT -Với: vT = k: hằng sô4 Boltzmann = 1.38 x 10-23 J/K q T: nhiệt đô tuyệt đối K q: đơn vị điện tích = 1.6 x 10-19 C N N  NA: nồng đô tạp chất aceptor trong bán dẫn loại P ⇒ V0 = Vγ = VT ln A 2 D  ND: nồng đô tạp chất donor trong bán dẫn loại N  ni  ni: mật đô hạt dẫn trong bán dẫn thuần. Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử C 39 Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử C 40 GV: Lê Thị Kim Anh GV: Lê Thị Kim Anh 10
Hướng dẫn Ví du 1-4 kT Áp dụng: VT = Một chuyển tiếp PN được tạo nên từ bán dẫn q loại P có 1022 acceptor/m3 và bán dẫn loại N với: T = 25 + 273 = 298°°K k = 1.38 x 10-23 có 1.2 x 1021 donor/m3. Tìm điện thế nhiệt và q = 1.6 x 10 -19C điện thế hàng rào tại 25°°C. Cho ni = 1.5 x 10 VT = 25.7 mV 16 electron/m3. Điện thê4 hàng rào:  N .N  V0 = VT . ln  A 2 D  = 0 .635 V  ni  Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử C 41 Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử C 42 GV: Lê Thị Kim Anh GV: Lê Thị Kim Anh 1.5 Phân cực chuyển tiếp PN - Khi chuyển tiếp PN được phân cực thuận: - Chuyển tiếp PN có thể được phân cực bằng cách dùng một nguồn điện áp đặt lên hai đầu của chuyển + Điện thế hàng rào giảm xuống → vùng nghèo tiếp. hẹp. + Điện trơ nho → dòng điện lớn va0 tăng nhanh theo điện áp. - Ngược lại khi chuyển tiếp PN được phân cực ngược. Nguồn áp phân cực thuận chuyển tiếp PN. Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử C 43 Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử C 44 GV: Lê Thị Kim Anh GV: Lê Thị Kim Anh 11
Biểu thức dòng điện qua chuyển tiếp PN (biểu thức Đặc tuyến Volt-Ampe diode)  v  I = I s  e ηVT − 1    Trong đo4: I : dòng qua chuyển tiếp (A) V: điện áp phân cực (V). V IS (I0): dòng ngược bảo hòa (A) η: hê sô4 phát (là hàm của V, phu thuộc vào vật liệu; 1≤η≤ ≤η≤2) ≤η≤ Quan hệ dòng – áp trong chuyển tiếp PN VT: điện thê4 nhiệt (V) dưới phân cực thuận và phân cực ngược. Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử C 45 Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử C 46 GV: Lê Thị Kim Anh GV: Lê Thị Kim Anh 1.6 Đánh thủng chuyển tiếp PN - Đánh thủng thác lu' xảy ra trong các chuyển tiếp P-N Có 2 nguyên nhân gây ra đánh thủng: nhiệt va0 điện. có bê0 dày lớn, điện trường trong vùng nghèo có trị sô4 - Đánh thủng vê0 nhiệt xảy ra do sư tích lũy nhiệt kha4 lớn. Điện trường này gia tốc cho các hạt dẫn, gây trong vùng nghèo hạt dẫn. ra hiện tượng ion hóa va chạm làm sản sinh những (Dòng IS tăng gấp đôi khi nhiệt đô tăng 10°C) đôi điện tử-lô trống. Các hạt dẫn vừa sinh ra này lại tiếp tục được gia tốc va0 ion hóa các nguyên tư khác - Đánh thủng vê0 điện được phân làm 2 loại: đánh làm sô4 lượng hạt dẫn tăng cao, do đo4 dòng điện sẽ thủng thác lu' (avalanching) va0 đánh thủng xuyên hầm tăng vọt. (tunnel) Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử C 47 Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử C 48 GV: Lê Thị Kim Anh GV: Lê Thị Kim Anh 12
- Đánh thủng xuyên hầm xảy ra ở những vùng nghèo - Biên độ của dòng ngược khi V xấp xỉ VBR tương đối hẹp, tức là chuyển tiếp của những bán dẫn (breakdown voltage) có thể được tính bằng biểu thức có nồng đô Na, Nd rất lớn. Điện trường trong vùng sau: nghèo rất lớn, có kha năng gây ra hiệu ứng “xuyên IS I = n hầm”, tức là điện tư trong vùng hóa trị của bán dẫn P  V  1 −   có kha năng chui qua hàng rào thê4 đê chạy sang vùng  V BR  dẫn của bán dẫn N, làm cho dòng điện tăng vọt. Với n là hằng số được xác định từ thực nghiệm. Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử C 49 Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử C 50 GV: Lê Thị Kim Anh GV: Lê Thị Kim Anh 1.6 Đánh thủng chuyển tiếp PN Ví du 1-5 Một diode silicon có dòng bão hòa là 0.1 pA ở 20°°C . Tìm dòng điện qua nó khi được phân cực thuận ở 0,55V. Tìm dòng trong diode khi nhiệt độ tăng lên đến 100 °C. Quan hệ của diode cho thấy Sự gia tăng của nhiệt sự gia tăng đột ngột của độ làm cho đặc tuyến dòng khi áp gần đến điện áp dịch sang trái. đánh thủng. Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử C 51 Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử C 52 GV: Lê Thị Kim Anh GV: Lê Thị Kim Anh 13
Hướng dẫn Ở T = 20°°C ⇒ VT = 0.02527V V > 0.5V ⇒ η = 1 ⇒ I = 0.283 mA Ở T = 100°°C ⇒ VT = 0.03217V Khi nhiệt độ thay đổi từ 20°°C đến 100°°C, dòng được nhân đôi 8 lần, do đó gia tăng 256 lần: I = 256 x 10 − 3 ( e 0 .55 / 0 .03217 − 1 ) = 0 . 681 mA Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử C 53 GV: Lê Thị Kim Anh 14