Bài giảng Kỹ thuật điện tử C: Chương 4 - GV. Lê Thị Kim Anh

Chia sẻ: Sasasd Asasas | Ngày: | Loại File: PDF | Số trang:15

Thêm vào BST

Báo xấu

89
lượt xem 5
download

Download Vui lòng tải xuống để xem tài liệu đầy đủ

Khuếch đại là quá trình biến đổi một đại lượng dòng điện hoặc điện áp từ biên độ nhỏ thành biên độ lớn mà không làm thay đổi dạng của nó. Nhằm giúp các bạn hiểu hơn về vấn đề này, mời các bạn cùng tham khảo chương 4 "Mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ dùng BJT" thuộc bài giảng Kỹ thuật điện tử C dưới đây.

Chủ đề:

Bình luận(0) Đăng nhập để gửi bình luận!

Lưu

Nội dung Text: Bài giảng Kỹ thuật điện tử C: Chương 4 - GV. Lê Thị Kim Anh

Chương 4 Khi xét BJT hoạt động dưới điều kiện tín MẠCH KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU hiệu nhỏ (sự thay đổi của tín hiệu vào đủ NHỎ DÙNG BJT nhỏ) thì có thể xem BJT như một bộ khuếch I. ĐỊNH NGHĨA đại ac. I,V - Khuếch đại là quá trình biến đổi một đại I,V lượng (dòng điện hoặc điện áp) từ biên độ nhỏ Δout Δin BỘ thành biên độ lớn mà không làm thay đổi KHUẾCH ĐẠI dạng của nó. Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 1 Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 2 GV: Lê Thị Kim Anh GV: Lê Thị Kim Anh Pout - Độ lợi là tỉ số của một lượng tín hiệu (dòng + Độ lợi công suất: AP = = Av. A i Pin điện hoặc điện áp) thay đổi ở ngõ ra và ngõ vào. A > 1: bộ khuếch đại tín hiệu. A < 1: bộ suy giảm tín hiệu. Ký hiệu là Ai hoặc AV. ΔI out i o (rms) Nhắc lại: + Độ lợi dòng: Ai = = ΔI in i i (rms) + giá trị rms: trị hiệu dụng (để tính cho tín hiệu ac). ΔVout v o (rms) + Độ lợi áp: Av = = + giá trị amp: trị biên độ (hoặc đỉnh – peak). ΔVin v i (rms) (amp) (rms) = 2 Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 3 Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 4 GV: Lê Thị Kim Anh GV: Lê Thị Kim Anh 1
Công suất ngõ vào ac Điện trở ngõ vào của một bộ khuếch đại là tổng Pin = v in (rms ) * i in (rms ) trở tương đương tại các đầu ngõ vào của nó. v in2 (rms ) = rin Vin R in = ( DC) = i in2 (rms ) * rin I in Định nghĩa tương tự cho điện trở và công v rin = in (ac) suất ngõ ra. i in Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 5 Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 6 GV: Lê Thị Kim Anh GV: Lê Thị Kim Anh Ảnh hưởng của điện trở nguồn đối với mạch * Khuếch đại áp khuếch đại A - Điện áp vào bộ KĐ: ⎛ r ⎞ vin = ⎜⎜ in ⎟⎟.vs ⎝ rs + rin ⎠ vo rin vs = rs + rin Av ⇒ Điện áp ra : vo = Av ⎛ r ⎞ v in vout = Av .vin = Av .⎜⎜ in ⎟⎟.vs ⎝ rs + rin ⎠ v in = rin rs + rin vs ⇒ Để có độ lợi áp là Av càng lớn thì rin >>rs . Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 7 Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 8 GV: Lê Thị Kim Anh GV: Lê Thị Kim Anh 2
* Khuếch đại dòng ⎛ r ⎞ - Dòng ngõ vào bộ KĐ: iin = ⎜⎜ s ⎟⎟.is rs ⎝ rs + rin ⎠ iin = is ⇒ Dòng ngõ ra : rs + rin io r = s Ai ⎛ rs ⎞ is rs + rin i out = A i .i in = A i .⎜⎜ ⎟⎟.i s r + r ⎝ s in ⎠ ⇒ Để có độ lợi dòng là Ai càng lớn thì rs >>rin . Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 9 Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 10 GV: Lê Thị Kim Anh GV: Lê Thị Kim Anh Ảnh hưởng của điện trở tải ⎛ r ⎞ Áp ra trên tải: v L = ⎜⎜ L ⎟⎟. v out ⎝ ro + rL ⎠ ⇒ để có áp rơi tối đa trên tải thì rL>>ro. Xét cả ảnh hưởng của nguồn thì độ lợi áp từ nguồn đến tải: - Một bộ khuếch đại ac dùng để cung cấp áp, dòng hoặc/và công suất cho một tải ở ngõ ra. vL ⎛ rin ⎞ ⎛ rL ⎞ - Tải có thể là loa, anten, còi, động cơ điện hoặc = A V .⎜⎜ ⎟⎟ .⎜⎜ ⎟⎟ bất kỳ 1 thiết bị hữu ích nào. vs ⎝ rs + rin ⎠ ⎝ ro + rL ⎠ - Khi phân tích mạch này, ta thay thế bằng 1 điện trở tải RL. Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 11 Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 12 GV: Lê Thị Kim Anh GV: Lê Thị Kim Anh 3
Một cách tương tự khi xét đến bộ khuếch đại dòng, ta có: Để truyền công suất cực đại thì cần có ⎛ r ⎞ Dòng trên tải: i L = ⎜⎜ o ⎟⎟.i out sự phối hợp trở kháng: ⎝ ro + rL ⎠ Độ lợi dòng tổng: - Từ nguồn tín hiệu đến bộ khuếch đại: iL ⎛ rs ⎞ ⎛ ro ⎞ rs = r in. = A i .⎜⎜ ⎟⎟.⎜⎜ ⎟⎟ is ⎝ rs + rin ⎠⎝ ro + rL ⎠ - Từ bộ khuếch đại đến tải: rout = rL. ⇒ để có dòng tối đa trên tải thì ro>>rL. Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 13 Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 14 GV: Lê Thị Kim Anh GV: Lê Thị Kim Anh Mục đích phân cực DC Khi thiết kế phân cực cho BJT đồng thời cũng là chọn điểm làm việc cho BJT. Khi đó, dạng sóng ở ngõ ra sẽ phụ thuộc vào giá trị điểm phân cực và sự thay đổi của tín hiệu ở ngõ vào. Vmax(maximum output valtage): là giá trị max ở ngõ ra khi BJT không dẫn gọi là áp cắt (cutoff), thường vo(t) = VB + vin bằng áp nguồn cung cấp. Vmin(minimum output valtage): là giá trị min ở ngõ ra VB: áp phân cực tĩnh khi BJT dẫn bảo hòa. Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 15 Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 16 GV: Lê Thị Kim Anh GV: Lê Thị Kim Anh 4
Tùy thuộc vào giá trị của VB mà điện áp ra sẽ có Chế độ Maxswing những thay đổi như sau: Là chế độ hoạt động khi áp ngõ ra đạt giá trị tối đa mà không bị méo dạng tín hiệu. Để đạt được chế độ này thì điểm phân cực tĩnh phải được chọn nằm ở giữa giá trị Vmin ÷Vmax. VO Vmax VB Vmin t Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 17 Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 18 GV: Lê Thị Kim Anh GV: Lê Thị Kim Anh Tụ ghép -Tính chất của tụ là ngăn tín hiệu DC, thông thường tụ sẽ được dùng để ngăn ảnh hưởng của tín hiệu DC đối với nguồn hoặc tải. - Các tụ này phải đủ lớn để có tổng trở thật nhỏ đối với tín hiệu AC. - Các tụ này được gọi là tụ ghép (coupling capacitor) hoặc tụ chặn (blocking capacitor). Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 19 Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 20 GV: Lê Thị Kim Anh GV: Lê Thị Kim Anh 5
Đường tải một chiều và đường tải xoay chiều VCC - Đường tải DC là tập hợp tất cả các RC điểm làm việc tĩnh Q(IC,VCE), khi chưa RC RB có tín hiệu AC. RL - Đường tải AC là tập hợp tất cả các điểm Xét mạch khuếch đại CE: (iC,vCE), bao gồm cả điểm Q. - Điện trở tải DC: RL = RC. - Điện trở tải AC: rL = RL // RC. Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 21 Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 22 GV: Lê Thị Kim Anh GV: Lê Thị Kim Anh - Phương trình đường tải AC: Nhận xét 1 - Đường tải AC có độ dốc ( tgδ = − ) lớn hơn VQ r io = + IQ 1 L rL đường tải DC (tgθ = − ). RL v o = VQ + I Q rL - Áp ngõ ra được quyết định bởi đường tải AC sẽ nhỏ hơn nếu được quyết định bởi đường tải IQ, VQ = Q(IC,VCE) DC. iO, vO:giá trị iC và vCE của đường tải AC. - Nếu Q dịch trên đường tải DC thì đường tải AC sẽ dịch song song. Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 23 Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 24 GV: Lê Thị Kim Anh GV: Lê Thị Kim Anh 6
IC VCEQ (I CQ + rL ) • ACLL ICQ Q(VCE,IC) • δ DCLL • VCE VCEQ (VCEQ+ ICQ.rL) Đối với bài toán đã thiết kế sẵn thì giá trị maxswing(lý tưởng) của vout là: vout= min[(0÷VCEQ),(VCEQ÷VCEQ+ICQrL)] Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 25 Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 26 GV: Lê Thị Kim Anh GV: Lê Thị Kim Anh II. CÁC CHẾ ĐỘ LÀM VIỆC CỦA BJT TRONG MẠCH Định nghĩa hiệu suất η: đo bằng tỷ số giữa công suất của tín hiệu KHUẾCH ĐẠI iC xoay chiều đưa ra trên tải và tổng công suất tầng khuếch đại tiêu thụ của nguồn cung cấp. Chế độ A (Lớp A) IBmax C Chế độ A thường dùng trong các tầng khuếch đại tín hiệu nhỏ. M Khi chọn điểm Q nằm iCmax • Chế độ B (Lớp B) khoảng giữa đoạn MN Khi chọn điểm Q nằm trùng với D (hoặc N) thì phần tử khuếch Q trên đường tải xoay iCQ • đại làm việc ở chế độ B lý tưởng (hoặc thực tế). Đặc điểm của chiều, ta nói phần tử chế độ này là: KĐ làm việc ở chế độ A. iCmin N IBmin • - Méo phi tuyến trầm trọng. Đặc điểm của chế độ VCE vCEQ D này là: - Hiệu suất cao. (ηBmax = 78.5%). - Khuếch đại trung thực, ít méo phi tuyến. - Thường dùng trong các tầng khuếch đại công suất (tầng cuối của các thiết bị khuếch đại). Để khắc phục méo phi tuyến, đòi hỏi - Dòng và áp tĩnh luôn khác không. Biên độ dòng và áp xoay chiều mạch phải có 2 vế đối xứng thay phiên làm việc trong 2 nữa chu lấy ra tối đa chỉ bằng dòng và áp tĩnh. Do đó hiệu suất thấp (25%). kỳ (gọi là mạch “đẩy kéo”). Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 27 Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 28 GV: Lê Thị Kim Anh GV: Lê Thị Kim Anh 7
Thực tế, người ta còn dùng chế độ AB (trung gian giữa chế độ A III. SƠ ĐỒ TƯƠNG ĐƯƠNG CỦA BJT và B): điểm Q chọn ở phía trên điểm N và gần điểm này. Lúc đó phát huy được ưu điểm của mỗi chế độ, giảm bớt méo phi - Mục đích của việc chuyển về sơ đồ tương đương là làm tuyến, nhưng hiệu suất kém hơn chế độ B. cho mạch tính toán đơn giản và dễ dàng hơn. - Khi sự biến thiên ở tín hiệu vào đủ nhỏ để tạo sự thay đổi Chế độ khóa hay chế độ đóng ngắt (lớp D) về dòng và áp ở ngõ ra nằm trong đặc tính giới hạn của BJT có thể làm việc ở chế độ đóng ngắt (Switch BJT). BJT, ta có thể xem BJT là một phần tử 4 cực tuyến tính: Tuỳ theo giá trị điện áp vào mà BJT có thể làm việc ở 2 trạng I1 I2 thái đối lập: I1, V1(i1, v1): dòng và áp ở -Trạng thái khóa (tắt): khi Q nằm ở phía dưới điểm N. ngõ vào. V1 V2 - Trạng thái dẫn bảo hòa (mở): khi Q nằm ở phía trên điểm M I2, V2(i2, v2): dòng và áp ở (gần điểm C). ngõ ra. Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 29 Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 30 GV: Lê Thị Kim Anh GV: Lê Thị Kim Anh Bộ tham số h Tham số xoay chiều của BJT ⎧ ∂V1 ∂V1 V1 = f(I1,V2) ⎪ dV = dI + dV v1 = h11i1 + h12 v2 ∂I1 ∂V2 1 1 2 ⎪ Tuỳ theo từng sơ đồ cụ thể của BJT (BC, EC hay CC) thì các I2 = f(I1,V2) ⎨ ⎪ dI = ∂I2 dI + ∂I2 dV ⇒ i2 = h21i1 + h22 v2 đại lượng trên sẽ là những điện áp hay dòng điện trên các cực ⎩⎪ 2 ∂I1 1 ∂V2 2 tương ứng, đồng thời tùy theo loại BJT( NPN hay PNP) mà Ý nghĩa của từng tham số chúng có dấu hoặc chiều thích hợp. v Trở kháng vào của BJT khi áp xoay chiều h11 (hi ) = 1 ở ngõ ra bị ngắn mạch. Tuỳ theo việc chọn biến và hàm để mô tả mối quan hệ giữa i 1 V2 = 0 các ngõ vào và ra của BJT mà ta có các loại tham số đặc trưng Hệ số khuếch đại dòng điện (độ lợi dòng) i2 cho BJT. h 21 ( hf ) = của BJT khi áp xoay chiều ở ngõ ra bị i1 V2 = 0 ngắn mạch. Biến I1, I2 V1,V2 I1,V2 V1,I2 V2,I2 V1,I1 i Điện dẫn ra của BJT khi dòng xoay chiều h 22 (ho ) = 2 ở ngõ vào bị hở mạch. v2 Hàm V1,V2 I1,I2 V1,I2 I1,V2 V1,I1 V2,I2 I1 = 0 Hệ số truyền ngược về điện áp (hồi tiếp v1 điện áp) của BJT khi dòng xoay chiều ở Tham số z Tham số y Tham số h h12 (hr ) = v2 I1 = 0 ngõ vào bị hở mạch. Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 31 Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 32 GV: Lê Thị Kim Anh GV: Lê Thị Kim Anh 8
- Vì vậy, phẩm chất, tính năng của BJT sẽ thể hiện giá trị Mạch tương đương của BJT các tham số hij của chúng. i1 i2 • • - Các hij được gọi là các tham số xoay chiều (hoặc tham số vi v1 = h11i1 + h12 v2 phân) của BJT. h11(hi) 1 i2 = h21i1 + h22 v2 v1 h21i1 v2 - Về đơn vị đo: h 22 h12v2 - h11(hoặc hi): điện trở (Ω). • • - h22(hoặc ho): điện dẫn (mho ( ) hoặc siemient). Ω - Điện trở vào h11 (hoặc hi). - h12(hoặc hr) và h21(hoặc hf) chỉ là các hệ số nên -Nguồn điện áp h12v2 (hoặc hr vo): thể hiện sự hồi tiếp điện áp nội không có thứ nguyên. bộ của BJT. Thực tế h12 (hay hr) có giá trị rất bé(10-3 ÷10-4), vì Do đó, bộ tham số hij còn được gọi là tham số hỗn hợp vậy đại lượng h12v2 có thể bỏ qua. (hybrid). - Nguồn dòng điện h21i1(hoặc hfii): phản ánh khả năng khuếch đại dòng. - Tùy theo BJT mắc theo kiểu nào (BC, EC hay CC) mà các - Điện dẫn ra h22(hoặc ho), thực tế giá trị này rất bé, nên điện trở tham số có thêm chỉ số tương ứng. ra sẽ vô cùng lớn và có thể bỏ qua. Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 33 Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 34 GV: Lê Thị Kim Anh GV: Lê Thị Kim Anh Mạch tương đương đơn giản hóa của BJT (toán học) Mạch tương đương của BJT mắc kiểu CE (vật lý) i1(ii) i2(io) • • βiB iB rB iC C B B’ • • iCEO • v1(vi) h11(hi) h21i1 (hf) v2(vo) riE iE rE rCE • • • • • E Mạch tương đương đơn giản hóa của BJT mắc kiểu CE iB(ii) iC(io) B C • - rE: điện trở của vùng nghèo emitter đối với tín hiệu xoay chiều. • 26 [mV ] 26 [mV ] C Ở nhiệt độ thường: rE = ≈ I E [mA ] I C [mA ] B hfEiB vCE(vo) vBE(vi) hiE - rB: điện trở bản thân của miền base đối với dòng IB. Đối với các BJT công suất nhỏ rB = (100÷300)Ω. E - rC: điện trở của vùng nghèo collector, có giá trị rất lớn (hàng MΩ). • • E Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 35 Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 36 GV: Lê Thị Kim Anh GV: Lê Thị Kim Anh 9
Mạch tương đương của BJT mắc kiểu CE (vật lý) IV. PHÂN TÍCH MẠCH KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU NHỎ B iC C • • 1. Mạch khuếch đại mắc E chung iB ICEO riE βiB rCE riE= rB+(β+1)rE RB1 RC C2 • • C1 E Mạch tương đương của BJT mắc kiểu CE (vật lý) đơn giản hơn RL iB iC B C • RS • RB2 RE CE Vì β>>1 và rB
Điện trở vào - Điện trở ra: iS iB hfe≅ β iL hie hfeiB iS iB iL RS RB1 RB2 rie≅ βrE RC RL hfe≅ β vS hie hfeiB RS RB1 RB2 rie≅ βrE RL RiE RC vS RoE Đặt: RB = RB1 // RB2 ; rL = RC // RL RiE = RB // hiE Nếu RB >> hiE thì RiE = hiE RoE = RC - Nếu dùng mạch tương đương vật lý: RiE = RB // βrE rE = 0.026/IE (Ở nhiệt độ phòng) Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 41 Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 42 GV: Lê Thị Kim Anh GV: Lê Thị Kim Anh - Độ lợi dòng tổng: AiE = iL/iS - Độ lợi áp : AVE = VL/Vin hfe≅ β iS iB iL hfe≅ β hie hfeiB iS iB h RS RiE hfeiB RoEiL RB1 RB2 rie≅ βrE RC RL RS ie Vin RB1 RB2 rie≅ βrE RC RL vS VL Vin vS VL rL VL = i L R L = h fE i B rL ⇒ i L = h fE i B VL = hfE iB rL RL h iE Vin = i S R iE = i B h iE ⇒ iS = iB Vin = iB hiE R r R iE ⇒ A i E = h fE iE L rL r h iE R L ⇒ A V E = − h fE = −β L r r h iE h iE Nếu RB >> hiB: ⇒ A i E = h fE L = β L Nhận xét: Áp ra ngược pha với áp vào. RL RL Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 43 Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 44 GV: Lê Thị Kim Anh GV: Lê Thị Kim Anh 11
- Độ lợi áp toàn phần : ATP = VL/VS 2. Mạch khuếch đại mắc B chung iS iB iL hfe≅ β hie hfeiB RS C1 RE RC C2 RS RB1 RB2 rie≅ βrE RL RL RC vS vS VCC RiE RoE Sơ đồ tương đương VL = h fE i B rL hiE VS = iS (RS + RiE) iS = i B RS R rL RiE RE hiB ⇒ ATP = − h fE iE vS hfBiE RC RL h iE R S + R iE rL Nếu RB >> hiE: ⇒ AT P = − hfE Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử R S + h iE 45 Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 46 GV: Lê Thị Kim Anh GV: Lê Thị Kim Anh Điện trở vào Điện trở ra RS iE iL RE RS iE iL hiB hfBiE RE RC RL hiB hfBiE vS RC RL RiB vS RoB RiB = RE // hiB RoB = RC Nếu RE >> hiB thì RiB = hiB Thông thường giá trị hiB rất nhỏ (khoảng vài chục Ω). Vì vậy mạch khuếch đại B chung có điện trở vào rất bé. Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 47 Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 48 GV: Lê Thị Kim Anh GV: Lê Thị Kim Anh 12
- Độ lợi dòng tổng: AiB = iL/iS - Độ lợi áp : AVB = VL/Vin RS iE iL RE RS hiB hfBiE RL iE iL vS RC RE hiB hfBiE RC RL vS rL VL = i L R L = h fB i E rL ; rL = R C // R L ⇒ i L = h fB i E h iB RL Vin = i S R iB = i E h iB ⇒ iS = iE VL = hfB iC rL = hfB iE rL R iB R iB rL Vin = iSRiB = iE hiB ⇒ A i B = h fB h iB R L rL r Nếu RE >> hiB: ⇒ A i B = h fB L ⇒ A V B = h fB RL h iB Trường hợp RL > hiB: ⇒ AT P = hfB vS RE RL RS + RiB Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 51 Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 52 GV: Lê Thị Kim Anh GV: Lê Thị Kim Anh 13
B hfeiB C Điện trở vào B hie E hie iB iE RS RB RS hfeiB RE RL RB E vS riC RE RL RiC vS VBC C RiC = RB // riC ; riC = iB Vẽ lại sơ đồ tương đương VBC = VBE + VEC B hie E VBC = iB.hiE + iE.rL (rL = RE // RL) RS RB VBC = iB.hiE + (hfE + 1)iB.rL hfeiB RE RL VBC vS riC = = h iE + (h fE + 1).rL (hàng trăm KΩ) iB Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 53 ⇒ RiC ≅ RB Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 54 GV: Lê Thị Kim Anh C GV: Lê Thị Kim Anh Điện trở ra - Độ lợi dòng tổng: AiC = iL/iS B hie E B hie E iB iE RS RB iL RS iS iE hfeiB RE RL RB hfeiB RE RL vS roC RoC vS V C RoC = RE // roC ; roC = EC C iE VL = i L R L = i E rL = ( h fE + 1 ) i B .rL ( rL = R E // R L ) VEC = iB.hiE + iB.R’S ; (R’S = RS // RB) r ⇒ i L = ( h fB + 1 ) i B L RL VEC h iE i B + R'S i B h iE + R'S riC r roC = = = (rất nhỏ) Vin = i S R iC = i B riC ⇒ i S = i B = i B iC ( R iC = riC // R B ) iE iE hf E + 1 R iC R iC R iC rL ⇒ RiC khoảng vài chục Ω ⇒ A i C = ( h fE + 1) riC R L Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 55 Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 56 GV: Lê Thị Kim Anh GV: Lê Thị Kim Anh 14
- Độ lợi áp : AVC = VL/Vin Nhận xét chung: B hie E -Mạch khuếch đại E chung có tín hiệu ở ngõ ra RS iS iE iL ngược pha với tín hiệu ngõ vào. Có khả năng RB khuếch đại dòng và áp. hfeiB RE RL vS - Mạch khuếch đại B chung có tổng trở vào nhỏ (vài chục ohm), tổng trở ra lớn (vài trăm KΩ), không VL = (hfE + 1) iB rL C khuếch đại dòng (Ai ≅ 1). Vin = iB riC - Mạch khuếch đại C chung có tổng trở vào lớn (vài ( h + 1)rL ( h fE + 1)rL trăm KΩ), tổng trở ra nhỏ (vài chục ohm), không ⇒ A V C = fE = khuếch đại áp (Av ≅ 1). riC h iE + ( h fE + 1)rL rL - Cả hai mạch khuếch đại B và C chung có tín hiệu ở A VC = ≅1 h iE ngõ ra đồng pha với tín hiệu ở ngõ vào. + rL h fE + 1 Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 57 Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 58 GV: Lê Thị Kim Anh GV: Lê Thị Kim Anh 15