intTypePromotion=1
zunia.vn Tuyển sinh 2024 dành cho Gen-Z zunia.vn zunia.vn
ADSENSE

Nghiên cứu cơ chế phản ứng của gốc etinyl (C2H) với phân tử silan (SiH4 )

Chia sẻ: ViShizuka2711 ViShizuka2711 | Ngày: | Loại File: PDF | Số trang:7

33
lượt xem
2
download
 
  Download Vui lòng tải xuống để xem tài liệu đầy đủ

Các cơ chế phản ứng của gốc etinyl (C2 H) với phân tử silan (SiH4) được nghiên cứu bằng phương pháp phiếm hàm mật độ (DFT) B3LYP với bộ hàm cơ sở 6-311++G(d,p) và 6-311++G(3df,2p). Từ đó thiết lập được bề mặt thế năng của hệ phản ứng.

Chủ đề:
Lưu

Nội dung Text: Nghiên cứu cơ chế phản ứng của gốc etinyl (C2H) với phân tử silan (SiH4 )

LIÊN NGÀNH HÓA HỌC - CÔNG NGHỆ THỰC PHẨM<br /> <br /> <br /> Nghiên cứu cơ chế phản ứng của gốc etinyl (C2H)<br /> với phân tử silan (SiH4)<br /> Study mechanism on the reaction of ethynyl radical (C2H)<br /> with silane molecular (SiH4)<br /> Vũ Hoàng Phương, Lê Văn Thủy<br /> Email: hphuong_hp@yahoo.com<br /> Trường Đại học Sao Đỏ<br /> Ngày nhận bài: 24/9/2018<br /> Ngày nhận bài sửa sau phản biện: 19/12/2018<br /> Ngày chấp nhận đăng: 27/12/2018<br /> Tóm tắt<br /> Các cơ chế phản ứng của gốc etinyl (C2H) với phân tử silan (SiH4) được nghiên cứu bằng phương pháp<br /> phiếm hàm mật độ (DFT) B3LYP với bộ hàm cơ sở 6-311++G(d,p) và 6-311++G(3df,2p). Từ đó thiết lập<br /> được bề mặt thế năng của hệ phản ứng. Kết quả tính toán cho thấy sản phẩm của phản ứng có thể là:<br /> SiH3 + C2H2, HCCSiH3 + H, C2H4 + SiH, HHCCSiH2 + H, HSiCHCH2 + H, SiCH2 + CH3, SiCH2CH2 + H,<br /> SiCHCH3 + H, SiH3 + HHCC. Tuy nhiên, sự hình thành SiH3 + C2H2, C2H4 + SiH là thuận lợi nhất. Nghiên<br /> cứu này là một đóng góp cho sự hiểu biết về các cơ chế phản ứng của gốc etinyl với nhiều gốc tự do<br /> và phân tử nhỏ trong khí quyển và sự đốt cháy.<br /> Từ khóa: Cơ chế phản ứng; thuyết phiếm hàm mật độ (DFT); gốc etinyl; silan.<br /> Abstract<br /> The reaction mechanism of the ethynyl radical and silane has been studied by the Density Functional<br /> Theory (DFT) using the B3LYP functional in conjunction with the 6-311++G(d,p) and 6-311++G(3df,2p)<br /> basis sets. The potential energy surface (PES) for the C2H+SiH4 system was also established. Calculated<br /> results indicate that products of this reaction can be: SiH3 + C2H2, HCCSiH3 + H, C2H4 + SiH, HHCCSiH2 +<br /> H, HSiCHCH2 + H, SiCH2 + CH3, SiCH2CH2 + H, SiCHCH3 + H, SiH3 + HHCC . However, the formation of<br /> SiH3 + C2H2 and C2H4 + SiH is the most favorable. This study is a contribution to the understanding of the<br /> reaction mechanisms of the ethynyl radical with many small radicals and molecules in the atmosphere<br /> and combustion chemistry.<br /> Keywords: Reaction mechanism; density functional theory (DFT); ethynyl radical; silane.<br /> <br /> <br /> 1. GIỚI THIỆU CHUNG quá trình oxi hóa hidrocacbon thiếu oxi, trong một<br /> vài quá trình tổng hợp sản phẩm hữu cơ [1, 2].<br /> Hiện nay, việc tạo ra các gốc tự do hay các hợp<br /> chất hoạt động hóa học cao, kiểm soát tính chất Gốc etinyl được xác định là có liên quan đến các<br /> cũng như xem xét ảnh hưởng của chúng trong phản ứng cháy của các nhiên liệu hữu cơ, quá<br /> bầu khí quyển và sự cháy vẫn luôn luôn là chủ đề trình cracking nhiệt hoặc cracking xúc tác. Nó<br /> thu hút sự quan tâm tại nhiều trung tâm nghiên được sinh ra khi các phân tử chất hữu cơ, đặc<br /> cứu trên thế giới. Gốc tự do là những nguyên tử biệt là hidrocacbon bị phân cắt thành nhiều phần<br /> hay nhóm nguyên tử có chứa electron độc thân tử nhỏ do tác dụng của chất oxi hóa và nhiệt độ.<br /> và có khả năng phản ứng cao. Một trong những Mặc dù gốc etinyl chỉ tồn tại trong khoảng thời<br /> gốc tự do được đặc biệt quan tâm đó là gốc etinyl<br /> ngắn, nhưng lại đóng vai trò then chốt trong sự<br /> (C2H). Etinyl được sinh ra ở nhiều quá trình tự<br /> hình thành polyaxetilen và một số hợp chất thơm.<br /> nhiên và nhân tạo, bao gồm khoảng không gian<br /> Cụ thể C2H tác dụng với axetilen (C2H2) tạo thành<br /> giữa các vì sao, trong khí quyển của những hành<br /> phân tử C4H2, gốc C4H3. Trong chuỗi phản ứng với<br /> tinh giàu hidrocacbon như hành tinh Titan hay<br /> các phân tử C2H2, người ta thu được polyaxetilen,<br /> trong các quá trình đốt cháy nhiên liệu hữu cơ,<br /> hoặc với một phân tử C2H2 nữa sẽ thu được<br /> benzen (C6H6), gốc phenyl (C6H5). Tiếp theo là<br /> Người phản biện: 1. PGS.TS. Ngô Sỹ Lương các hợp chất thơm, các gốc thơm khác. Các phân<br /> 2. TS. Hoàng Thị Hòa tử và gốc thơm này được dùng như những chất<br /> <br /> <br /> Tạp chí Nghiên cứu khoa học - Đại học Sao Đỏ, ISSN 1859-4190 Số 4(63).2018 75<br /> NGHIÊN CỨU KHOA HỌC<br /> <br /> nền để tổng hợp các polime chứa vòng thơm - Dùng phương pháp HF để khảo sát sơ bộ cấu<br /> (PAHs) [3]. trúc các TS, IS, sau đó làm chính xác hơn bằng<br /> phương pháp B3LYP/6-311++G(3df,2p), tính năng<br /> Về cấu tạo, C2H có một obitan chứa một electron<br /> lượng điểm đơn của các cấu tử và tính các thông<br /> độc thân trên nguyên tử cacbon ở phía ngoài,<br /> số nhiệt động của chúng.<br /> trong khi các obitan còn lại đã lấp đầy electron,<br /> thêm nữa liên kết C – C là liên kết ba (chứa hai - Thiết lập bề mặt thế năng đầy đủ dựa trên năng<br /> liên kết π kém bền), các nguyên tử C ở trạng thái lượng tương quan.<br /> lai hóa sp. Chính vì vậy, khả năng phản ứng của - Giải thích cơ chế của phản ứng, xác định đường<br /> gốc etinyl rất cao. Trong gốc etinyl có hai trung phản ứng ưu tiên và các sản phẩm dễ hình<br /> tâm phản ứng chính: nguyên tử C chứa electron thành nhất.<br /> chưa ghép đôi và hệ liên kết π. Nên các tác nhân Trên cơ sở các nội dung cần nghiên cứu ở trên,<br /> dễ dàng tấn công vào hai trung tâm phản ứng này. lựa chọn phương pháp, phần mềm tính toán hóa<br /> học lượng tử phù hợp nhất cho các đối tượng<br /> C2H tồn tại trong khí quyển của những hành<br /> nghiên cứu. Về phần mềm tính toán, sử dụng<br /> tinh giàu hidrocacbon như hành tinh Titan, trong<br /> Gaussian 09 [9] kết hợp các phần mềm hỗ trợ<br /> khoảng không gian, trong đám mây tối đen giữa<br /> như: Gaussview, Chemcraft... Với phương pháp<br /> các vì sao. Đây là những môi trường đặc biệt có<br /> hóa học lượng tử, dùng thuyết phiếm hàm mật độ<br /> nhiệt độ rất thấp và áp suất cực kì thấp. Trong<br /> (DFT) B3LYP với bộ hàm cơ sở 6-311++G(d,p) và<br /> môi trường nhiệt độ thấp, hàng rào năng lượng<br /> 6-311++G(3df, 2p).<br /> thường là yếu tố ảnh hưởng lớn đến tốc độ phản<br /> ứng. Đối với những phản ứng không có rào cản 3. KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN<br /> (năng lượng hoạt hóa rất thấp), các phản ứng của 3.1. Dự đoán cơ chế phản ứng<br /> C2H có thuận lợi hơn nhiều so với các phản ứng<br /> thông thường có hàng rào năng lượng đáng kể. Dựa vào cấu tạo tạo hóa học của gốc etinyl và<br /> phân tử silan (Phân tử SiH4 có cấu tạo tứ diện,<br /> Phản ứng của gốc etinyl (C2H) với một số chất nguyên tử Si lai hóa sp3. C trong gốc C2H lai hóa<br /> như axetilen (C2H2) [4], CH4, C2H6, C3H8, C2H4, sp), phản ứng giữa gốc C2H và SiH4 được dự<br /> và C3H6 [5], hidro (H2) [1, 6], amoniac (NH3) [7], đoán xảy ra theo bốn hướng sau:<br /> các hidrohalogenua (HX) [8] đã được nhiều công<br /> trình nghiên cứu về lý thuyết và thực nghiệm. Tuy<br /> nhiên, chưa có công trình nào nghiên cứu lý thuyết<br /> phản ứng của gốc etinyl (C2H) với silan (SiH4).<br /> Bên cạnh đóng vai trò quan trọng trong nhiều<br /> ngành công nghiệp như vi điện tử, chất ổn định<br /> cho vật liệu composit, sản suất pin mặt trời..., silan<br /> (SiH4) là một chất khí có tính độc hại, dễ bắt cháy<br /> trong không khí và nước nên thực tế hoàn toàn có<br /> thể xảy ra phản ứng giữa C2H và SiH4. Chính vì<br /> Hình 1. Các hướng phản ứng của C2H và SiH4<br /> vậy, trong báo cáo này chúng tôi lựa chọn nghiên<br /> cứu phản ứng giữa gốc C2H và phân tử SiH4. Hi Trong đó:<br /> vọng kết quả tính toán thu được sẽ cung cấp dữ + Hướng a: Nguyên tử Si tấn công vào nguyên tử<br /> kiện đầu vào cho những nghiên cứu lí thuyết sâu C có 1 electron tự do (C1).<br /> hơn và làm tài liệu tham khảo cho các nhà hóa<br /> học thực nghiệm. + Hướng b: Nguyên tử H tấn công vào nguyên<br /> tử C1.<br /> 2. PHƯƠNG PHÁP NGHIÊN CỨU<br /> + Hướng c: Nguyên tử Si tấn công vào nguyên tử<br /> Đối với hệ nghiên cứu là phản ứng của gốc etinyl C ở giữa (C2).<br /> và phân tử silan thì các nội dung cần khảo sát<br /> bao gồm: + Hướng d: Nguyên tử H tấn công vào nguyên<br /> tử C2.<br /> - Từ cấu trúc của các chất phản ứng (RA), phân<br /> Trong bốn hướng phản ứng trên, hướng a và b<br /> tích các khả năng mà phản ứng có thể xảy ra.<br /> được dự đoán xảy ra dễ dàng hơn hướng c, d vì:<br /> - Tối ưu hóa cấu trúc các chất phản ứng (RA), sự tấn công vào nguyên tử C1 chứa orbital có 1<br /> trung gian (IS), trạng thái chuyển tiếp (TS), các electron độc thân với khả năng phản ứng cao sẽ<br /> sản phẩm tạo thành (P). thuận lợi so với nguyên tử C2.<br /> <br /> <br /> 76 Tạp chí Nghiên cứu khoa học - Đại học Sao Đỏ, ISSN 1859-4190 Số 4(63).2018<br /> LIÊN NGÀNH HÓA HỌC - CÔNG NGHỆ THỰC PHẨM<br /> <br /> Phản ứng của C2H với SiH4 có thể tạo thành 9 sản trong đó: RA: chất phản ứng;<br /> phẩm, kí hiệu từ P1 đến P9, theo 9 đường phản<br /> TS: trạng thái chuyển tiếp;<br /> ứng như sau:<br /> RA1 CO1<br /> TS1/2<br /> IS2<br /> TS2/P1 P1 IS: sản phẩm trung gian;<br /> TS1/P9<br /> TS2/3<br /> TS2/P2<br /> P : sản phẩm phản ứng;<br /> TS2/4 TS3/P2 P2<br /> P9 IS3<br /> CO: phức chất hoạt động<br /> TS3/4<br /> <br /> <br /> IS4<br /> TS4/5<br /> IS5<br /> TS5/P3<br /> CO2 P3 Dùng phương pháp B3LYP với bộ hàm cơ sở<br /> TS3/6<br /> TS4/6<br /> 6-311++G(3df,2p) để tối ưu hóa cấu trúc, xác định<br /> TS6/P4<br /> IS6 P4<br /> TS5/7 được các tham số cấu trúc (bao gồm dạng hình<br /> TS6/7<br /> <br /> P8 IS7<br /> học phân tử, độ dài liên kết, góc liên kết, tần số<br /> P5<br /> TS7/P8 TS7/P5<br /> TS7/8 dao dộng) của các chất phản ứng, sản phẩm trung<br /> IS8<br /> TS8/P7 TS8/P6 gian, trạng thái chuyển tiếp, các sản phẩm có thể<br /> P7 P6<br /> tạo thành của hệ chất nghiên cứu. Kết quả được<br /> Hình 2. Các đường phản ứng của C2H và SiH4 đưa ra ở hình 3.<br /> <br /> <br /> <br /> <br /> Tạp chí Nghiên cứu khoa học - Đại học Sao Đỏ, ISSN 1859-4190 Số 4(63).2018 77<br /> NGHIÊN CỨU KHOA HỌC<br /> <br /> <br /> <br /> <br /> Hình 3. Hình học của một số cấu trúc (độ dài liên kết (Å), góc liên kết (0)<br /> <br /> Các giá trị về tham số cấu trúc sẽ cho biết sự thay SiH4 + C2H → HHCCSiH2 + H (4)<br /> đổi về góc, độ dài liên kết ứng với việc tạo ra phức<br /> SiH4 + C2H → HSiCHCH2 + H (5)<br /> chất hay sản phẩm trung gian, trạng thái chuyển<br /> tiếp, sản phẩm. Như vậy, kết luận được có phù SiH4 + C2H → CH3 + SiCH2 (6)<br /> <br /> hợp với dự đoán về cơ chế ban đầu hay không. SiH4 + C2H → SiCH2CH2 + H (7)<br /> Dựa trên kết quả thu được về sự tạo thành các SiH4 + C2H → SiCHCH3 + H (8)<br /> sản phẩm phản ứng trên hình 3, có thể dự đoán<br /> SiH4 + C2H → SiH3 + HHCC (9)<br /> có 9 đường phản ứng:<br /> Như đã nhận xét ở trên, hướng tấn công thuận<br /> SiH4 + C2H → C2H2 + SiH3 (1)<br /> lợi là vào nguyên tử C1, do vậy có thể dự đoán<br /> SiH4 + C2H → HCCSiH3 + H (2)<br /> sản phẩm ở phản ứng (1) và (3) sẽ được ưu tiên<br /> SiH4 + C2H → C2H4 + SiH (3) hơn cả.<br /> <br /> <br /> 78 Tạp chí Nghiên cứu khoa học - Đại học Sao Đỏ, ISSN 1859-4190 Số 4(63).2018<br /> LIÊN NGÀNH HÓA HỌC - CÔNG NGHỆ THỰC PHẨM<br /> <br /> 3.2. Xây dựng bề mặt thế năng, giải thích cơ lượng tương đối giữa các chất trung gian, trạng<br /> chế phản ứng thái chuyển tiếp và sản phẩm theo hệ chất tham<br /> Bề mặt thế năng đầy đủ của hệ nghiên cứu C2H gian phản ứng. Bề mặt thế năng được biễu diễn<br /> và SiH4 được thiết lập dựa trên việc tính năng như ở hình 4 dưới đây.<br /> <br /> <br /> <br /> <br /> Hình 4. Bề mặt thế năng (PES) của hệ phản ứng<br /> <br /> Trên bề mặt thế năng của hệ phản ứng gốc etinyl phản ứng để tạo thành cùng một chất trung gian<br /> với silan, có hai phức chất trung gian được kí tiếp theo là IS3 (-72,03 kcal/mol) và hai sản phẩm<br /> hiệu là CO1 và CO2. Để cho gọn các trạng thái P1, P2.<br /> chuyển tiếp TS I/J được kí hiệu gọn tương ứng<br /> Sản phẩm P1 (-44,54 kcal/mol) có năng lượng<br /> I/J. Các sản phẩm trung gian IS2, IS3, IS4… được<br /> khá thấp được hình thành từ IS2 thông qua TS 2/<br /> kí hiệu gọn tương ứng: 2, 3, 4… Các sản phẩm<br /> tạo thành được kí hiệu lần lượt từ P1, P2, P3… P1 (-38,98 kcal/mol) theo sơ đồ:<br /> P9 tương ứng với lần lượt các sản phẩm của 9 RA1 <br /> → CO1 <br /> → IS2<br /> → P1<br /> đường phản ứng trên. Từ kết quả tính năng lượng<br /> Thông số về độ dài liên kết Si-C1 thay đổi từ<br /> dao động điểm không và năng lượng điểm đơn<br /> TS1/2 (2.395 A0) → IS2 (1.876 A0) → TS 2/P1<br /> xác định được năng lượng tương quan với mức<br /> năng lượng của hệ chất tham gia phản ứng ban (2.666 A0) chứng tỏ có quá trình tạo thành chất<br /> đầu C2H + SiH4 được qui ước bằng 0. trung gian trước khi liên kết bị kéo dài trong TS 2/<br /> P1 để cắt đứt tạo sản phẩm là phân tử trung hòa<br /> Khi gốc C2H tấn công vào các phân SiH4, trước C2H2 và gốc tự do mới SiH3. Kết quả tính đã xác<br /> tiên tạo ra phức CO1. Phức này có các liên kết<br /> nhận có sự tạo thành của chất trung gian là hoàn<br /> C-Si mới được hình thành có độ dài rất lớn là<br /> toàn phù hợp.<br /> 5,012 Å nên kém bền vững. Năng lượng của phức<br /> này chênh lệch với hệ các chất tham gia phản ứng Sản phẩm P2 (-33,45 kcal/mol) được hình thành<br /> là không nhiều (-0,4 kcal/mol). Phức CO1 không thông qua hai con đường khác nhau. Ngoài<br /> bền nhanh chóng bị phản ứng thông qua các TS con đường tạo thành từ IS2 thông qua TS 2/P2<br /> 1/2 (-6,63 kcal/mol) tạo ra chất trung gian tương (-30,92 kcal/mol) còn qua con đường khác là tạo<br /> ứng là IS2 (-64,5 kcal/mol). Từ IS2 có khả năng thành từ IS3 thông qua TS 3/P2 (-31,78 kcal/mol).<br /> <br /> <br /> Tạp chí Nghiên cứu khoa học - Đại học Sao Đỏ, ISSN 1859-4190 Số 4(63).2018 79<br /> NGHIÊN CỨU KHOA HỌC<br /> <br /> Dễ nhận thấy trong TS 3/P2, liên kết C2-H bị kéo Sản phẩm P6 (-34,34 kcal/mol), P7 (-18,56 kcal/mol)<br /> dài là 2.079 A0 để chuẩn bị cắt đứt tạo ra sản cùng được hình thành từ IS8 thông qua TS 8/P6 (-28,76<br /> phẩm là phân tử HCCSIH3 (P2a) và gốc H. kcal/mol) và TS 8/P7 (-13,13 kcal/mol). So sánh các giá<br /> trị năng lượng của sản phẩm và hàng rào năng lượng,<br /> Sản phẩm P3 (-45,3 kcal/mol) được hình thành thì sản phẩm P6 sẽ chiếm thứ tự ưu tiên hơn P7.<br /> thông qua nhiều giai đoạn trung gian IS3 - IS4 -<br /> IS5 có năng lượng thấp nên các sản phẩm trung Như vậy, từ hệ các chất ban đầu là C2H và SiH4, trong<br /> gian này sẽ tương đối bền vững. Đặc biệt là có toàn bộ tiến trình phản ứng, chỉ đi qua hai TS tương<br /> sự hình thành của phức chất bền vững CO2 ứng là 1/P9 (2,79 kcal/mol) và 7/P8 (18,96 kcal/mol)<br /> (-64,95 kcal/mol). có năng lượng tương đối cao hơn năng lượng chất<br /> tham gia phản ứng nên sự hình thành hai sản phẩm<br /> RA1 IS2 TS2/3<br /> IS3 TS3/4 IS4 TS4/5<br /> IS5<br /> TS5/P3<br /> CO2 P9, P8 là khó khăn. Nhưng xét trong điều kiện phản<br /> P3 ứng đốt cháy ở nhiệt độ cao thì với mức hàng rào<br /> TS2/4<br /> năng lượng đó, hệ chất phản ứng vẫn vượt qua để<br /> Chính vì vậy, P3 là sản phẩm có năng lượng thấp tạo thành các sản phẩm P1÷P9.<br /> nhất (thấp hơn P1) nhưng đường phản ứng đi qua<br /> nhiều IS, TS, còn sản phẩm P1 có năng lượng Nhận xét trên bề mặt thế năng:<br /> cao hơn không nhiều nhưng chỉ qua hai TS nên Dựa vào bề mặt thế năng (PES) của hệ phản ứng<br /> P1 vẫn là sản phẩm chiếm ưu thế nhất so với các ta nhận thấy: Đường phản ứng 1 có các TS có<br /> sản phẩm khác. hàng rào năng lượng thấp và đi qua ít TS nhất, do<br /> Sự tạo thành sản phẩm P4 (-12,69 kcal/mol): vậy có thể kết luận về mặt động học sản phẩm P1<br /> chiếm ưu thế hơn. Đường phản ứng 8 có hàng rào<br /> IS3 TS3/4 TS4/6 TS6/P4 P4 năng lượng cao nhất, do vậy việc tạo sản phẩm<br /> IS4 IS6<br /> P8 tương đối khó khăn về mặt động học. Kết quả<br /> TS3/6 phù hợp với dự đoán ban đầu về sự ưu tiên sản<br /> phẩm tạo thành<br /> Thông qua sơ đồ phản ứng nhận thấy quá trình<br /> hình thành sản phẩm P4 đi qua hai chất trung gian Nhận xét về mặt nhiệt động học:<br /> IS4 (-82,66 kcal/mol) và IS6 (-51,6 kcal/mol). IS4 Các thông số nhiệt động như hiệu ứng nhiệt ΔH,<br /> có năng lượng thấp nhất trên bề mặt thế năng này thế đẳng áp đẳng nhiệt ΔG cũng được xác định<br /> chứng tỏ sẽ có độ bền lớn hơn các cấu trúc khác. bằng lý thuyết. Các giá trị này của 9 phản ứng<br /> Trong khi đó, TS 6/P4 (-11,62 kcal/mol) có năng hình thành các sản phẩm từ P1÷P9 được chỉ<br /> lượng tương đối cao so với các TS khác. Chứng ra ở bảng 1. Giá trị ∆H thực nghiệm tham khảo<br /> tỏ sự hình thành sản phẩm sẽ khó khăn hơn. được chỉ chênh lệch nhỏ so với giá trị tính theo lý<br /> Trong quá trình hình thành sản phẩm P5 (-16,45 kcal/ thuyết (thể hiện trong P1, P3 là hai sản phẩm ưu<br /> mol), P8 (-16,22 kcal/mol) thông qua IS7 (-62,86 kcal/ tiên nhất).<br /> mol) thì sự tạo thành P5 đi qua TS có năng lượng C2H + SiH4 → C2H4 + SiH (P3) ∆H = -43,5 kcal/mol<br /> thấp, còn sự tạo thành P8 lại phải đi qua TS có năng (lý thuyết là -44,7 kcal/mol)<br /> lượng rất cao (18,96 kcal/mol) nên P8 là sản phẩm<br /> khó tạo thành nhất. C2H + SiH4 → C2H2 + SiH3 (P1) ∆H = -41,9 kcal/<br /> mol (lý thuyết là -44,4 kcal/mol).<br /> Sản phẩm P9 (-2,19 kJ/mol) có năng lượng cao<br /> nhất so với các sản phẩm khác, được tạo thành Kết quả này chứng tỏ việc sử dụng phương pháp<br /> từ duy nhất một con đường thông qua TS 1/P9 tính trên là hoàn toàn phù hợp và những thông tin<br /> (2,79 kJ/mol). Nên P9 cũng sẽ là sản phẩm khó đưa ra trong bài báo là hoàn toàn đáng tin cậy.<br /> tạo thành. Tuy nhiên, nếu so sánh với sản phẩm Hiệu ứng nhiệt và thế đẳng áp đẳng nhiệt đều có<br /> P8 thì P9 vẫn là sản phẩm ưu tiên hơn do chỉ đi giá trị âm nên chúng đều thuận lợi về mặt nhiệt<br /> qua một TS có năng lượng thấp hơn. động học.<br /> Bảng 1. Các thông số nhiệt động học của hệ phản ứng<br /> <br /> ΔHo(kcal/mol)<br /> Đường phản ứng Kết quả tính Thực nghiệm [12] ΔGo(kcal/mol)<br /> P1 (SiH3 + C2H2) -44,4 -41,9 -44,6<br /> P2 (HCCSiH3 + H) -33,6 -31,6<br /> <br /> P3 (C2H4 + SiH) -44,7 -43,5 -46,0<br /> <br /> <br /> <br /> 80 Tạp chí Nghiên cứu khoa học - Đại học Sao Đỏ, ISSN 1859-4190 Số 4(63).2018<br /> LIÊN NGÀNH HÓA HỌC - CÔNG NGHỆ THỰC PHẨM<br /> <br /> <br /> ΔHo(kcal/mol)<br /> <br /> Đường phản ứng Kết quả tính Thực nghiệm [12] ΔGo(kcal/mol)<br /> <br /> P4 (HHCCSiH2 + H) -12,8 -10,9<br /> <br /> P5 (HSiCHCH2 + H) -16,6 -14,9<br /> <br /> P6 (SiCH2 + CH3) -34,3 -35,9<br /> <br /> P7 (SiCH2CH2 + H) -19,2 -16,4<br /> <br /> P8 (SiCHCH3 + H) - 2,1 -4,6<br /> <br /> P9 (SiH3 + HHCC) -14,6 -12,8<br /> <br /> Kết quả tính toán này hoàn toàn phù hợp với tính [3]. AT Le, GE Hall, TJ Sears (2016). The near –<br /> toán dựa vào năng lượng tương đối của các sản infrared spectrum of ethynyl radical. Journal of<br /> phẩm so với hệ chất ban đầu trên bề mặt thế Chemical physics 145,074306.<br /> năng (PES). [4]. Da Silva, W. B.;* Albernaz, A. F. (2016). Kinetic<br /> Mechanism Study of Reaction C2H + C2H2 via<br /> 4. KẾT LUẬN<br /> TST. Rev. Virtual Quim, 8 (2), p. 394-404<br /> Đã thiết lập được toàn bộ cơ chế của các phản<br /> [5]. Manas Ranjan Dash and B. Rajakumar* (2015).<br /> ứng, các cấu trúc trung gian, trạng thái chuyển tiếp,<br /> Abstraction and addition kinetics of C2H radicals<br /> sản phẩm đều được xác định dạng hình học. Chín<br /> with CH4, C2H6, C3H8, C2H4, and C3H6: CVT/SCT/<br /> sản phẩm tạo thành gồm SiH3 + C2H2, HCCSiH3<br /> ISPE and hybrid meta-DFT methods. Phys.Chem.<br /> + H, C2H4 + SiH, HHCCSiH2 + H, HSiCHCH2 + H,<br /> Chem.Phys., Vol. 17, p. 3142-3156.<br /> SiCH2 + CH3, SiCH2CH2 + H, SiCHCH3 + H, SiH3<br /> + HHCC đều có thể được hình thành từ hệ chất [6]. Jozef Peeters, Benny Ceursters, Hue Minh Thi<br /> ban đầu được giải thích một cách chi tiết đầy đủ. Nguyen and Minh Tho Nguyen (2002). The<br /> Trong số các sản phẩm tạo thành thì P1 (SiH3 + reaction of C2H with H2: Absolute rate coefficient<br /> C2H2), P3 (C2H4 + SiH) là hai sản phẩm dễ được measurements and ab initio study. Journal of<br /> hình thành nhất do chỉ qua một TS và có năng Chemical Physics, Vol. 116, No. 9, p. 3700-3709.<br /> lượng rất thấp, còn sản phẩm P8 (SiCHCH3 + H) [7]. Shaun A. Carl,* Rehab M.I. Elsamra, Raviraj M.<br /> khó tạo ra nhất vì phải vượt qua hàng rào năng Kulkarni, Hue M.T. Nguyen, and Jozef Peeters<br /> lượng cao hơn năng lượng hệ chất tham gia phản (2004). No Barrier for the Gas-Phase C2H + NH3<br /> ứng. Các thông số nhiệt động về hiệu ứng nhiệt và Reaction. The Journal of Physical Chemistry, Vol.<br /> thế nhiệt động cũng được tính toán. So sánh với 108, No. 17, p. 3695-3698.<br /> kết quả thực nghiệm tham khảo được đối với hai<br /> [8]. Hue Minh Thi Nguyen, Asit K. Chandra, Shaun<br /> đường phản ứng được ưu tiên (đường phản ứng<br /> A. Carl, and Minh Tho Nguyen (2005). Quantum<br /> 1, 3) thì cho kết quả chênh lệch là 2,76% với sản<br /> chemical study of hydrogen abstraction reactions<br /> phẩm 3 và 5,97% với sản phẩm 1, điều đó chứng<br /> of the ethynyl radical with hydrogen compounds<br /> tỏ những tính toán lý thuyết trên là hoàn toàn đáng<br /> (C2H + HX). J. Molecular Structure: Theochem,<br /> tin cậy.<br /> 732 (1-3), p. 219-224.<br /> [9]. M.J. Frisch, G.W. Trucks, H.B. Schlegel, J.A.<br /> TÀI LIỆU THAM KHẢO Pople (2009). Gaussian, Inc., Pittsburgh PA.<br /> [1]. Paul J. Dagdigiana (2018). Interaction of C2H with [10]. Frank Jensen (2007). Introduction to Computational<br /> molecular hydrogen: Ab initio potential energy Chemistry. Second edition, John Wiley &<br /> surface and scattering calculations. The Journal Sons, Ltd.<br /> of Chemmistry Physics. 148, 024304. [11]. Shaun A. Carl, Hue Minh Thi Nguyen, Rehab<br /> [2]. B. Gans, G. A. Garcia, F. Holzmeier, J. Krüger, A. Ibrahim M. Elsamra, Minh Tho Nguyen, and Jozef<br /> Röder, A. Lopes, C. Fittschen, J.-C. Loison, and Peeters (2005). Journal of Chemical Physics.<br /> C. Alcaraz (2017). Communication: On the first 122, 114307.<br /> ionization threshold of the C2H radical. J. Chem. [12]. David R. Lide. CRC Handbook of Chemistry and<br /> Phys. 146, 011101. Physics. Internet Version 2005.<br /> <br /> <br /> <br /> Tạp chí Nghiên cứu khoa học - Đại học Sao Đỏ, ISSN 1859-4190 Số 4(63).2018 81<br />
ADSENSE

CÓ THỂ BẠN MUỐN DOWNLOAD

 

Đồng bộ tài khoản
2=>2