Đề thi & đáp án lý thuyết Điện tử công nghiệp năm 2012 (Mã đề LT24)

CỘNG HOÀ XÃ HỘI CHỦ NGHĨA VIỆT NAM Độc lập - Tự do - Hạnh phúc ĐỀ THI TỐT NGHIỆP CAO ĐẲNG NGHỀ KHOÁ 3 ( 2009 - 2012 ) NGHỀ: ĐIỆN TỬ CÔNG NGHIỆP MÔN THI: LÝ THUYẾT CHUYÊN MÔN NGHỀ Mã đề thi: ĐTCN - LT 24 Hình thức thi: Viết Thời gian: 180 Phút ( Không kể thời gian giao đề thi ) ĐỀ BÀI<br /> <br /> Câu 1: ( 2 điểm ) Thiết kế mạch mã hoá ưu tiên 4 tín hiệu đầu vào x0, x1, x2, x3 theo mã nhị phân sử dùng các cổng logic cơ bản?<br /> <br /> Câu 2: ( 2 điểm ) Nêu nguyên lý hoạt động của thiết bị biến tần dòng 3 pha? Câu 3: ( 3 điểm ) Trình bày tổ chức bộ nhớ của 128 byte RAM trong 89C51? Viết chương trình xóa 20 ô nhớ liền kề trên RAM nội có địa chỉ bắt đầu là 30H? Câu 4: ( 3 điểm ): ( Phần tự chọn, các trường tự ra đề )<br /> ………, ngày ………. tháng ……. năm ………<br /> <br /> Duyệt<br /> <br /> Hội đồng thi tốt nghiệp<br /> <br /> Tiểu ban ra đề thi<br /> <br /> CỘNG HOÀ XÃ HỘI CHỦ NGHĨA VIỆT NAM Độc lập - Tự do - Hạnh phúc ĐÁP ÁN ĐỀ THI TỐT NGHIỆP CAO ĐẲNG NGHỀ KHOÁ 3 ( 2009 - 2012 ) NGHỀ: ĐIỆN TỬ CÔNG NGHIỆP MÔN THI: LÝ THUYẾT CHUYÊN MÔN NGHỀ Mã đề thi: ĐA ĐTCN –LT 24 Câu I. Phần bắt buộc 1 Ta có bảng chân lý: x0 1 x x x Nội dung Điểm 0,5 Đầu vào x1 x2 0 0 1 0 x 1 x x x3 0 0 0 1 Đầu ra B 0 0 1 1 A 0 1 0 1 0,5<br /> <br /> + Theo bảng Karnaugh, nhận thấy biến x0 trong bảng chân lý không ảnh hưởng đến kết quả nên ta chỉ vẽ bảng Karnaugh cho 3 biến x1, x2, x3. Bảng Karnaugh đối với hàm A, B như sau: A x1x2 x3 0 1 00 0 1 01 0 1 11 0 1 10 1 1<br /> <br /> Suy ra, hàm số A  x1 .x 2  x3 B x1x2 x3 00 01 11 10<br /> <br /> 0,5<br /> <br /> 0 0 1 1 0 1 1 1 1 1 Suy ra, hàm số B  x 2  x3 Ta có mạch điện tương ứng thực hiện mã hoá 4  2 dùng mã hoá ưu tiên:<br /> x1 x2 x3 A B<br /> <br /> 0,5<br /> <br /> 2<br /> <br />  Biến tần dòng dùng Thyristor o Sơ đồ nguyên lý<br /> <br /> ÑK<br /> <br /> T1 T7 T9 T11<br /> <br /> T3<br /> <br /> T5<br /> <br /> 1<br /> <br /> V1 ~<br /> <br /> D1 D3<br /> <br /> D5<br /> <br /> D4<br /> <br /> D6<br /> <br /> D2<br /> <br /> ÑKÑ T10 T12 T8<br /> <br /> T4<br /> <br /> T6<br /> <br /> T2<br /> <br /> Nguyên tắc hoạt động Cầu chỉnh lưu điểu khiển gồm 6 Thyristor T7-T12 cầu biến tần gồm 6 thyristor T1-T6. Mỗi Thyristor được nối tiếp qua một Diode và trong mỗi nửa cầu có 3 tụ điện. Cầu chỉnh lưu thông qua điện cảm ĐK san bằng cung cấp cho cầu biến tần dòng điện Id. Ở mọi thời điểm có hai Thyristor dẫn điện các Thyristor được điều khiển mở theo thứ tự 1,2,....,6,1, mỗi thyristor dẫn trong khoảng 1200. Dạng sóng dòng điện và điện áp ra trên một pha được trình bày như hình sau: 0,5<br /> <br /> 0,5<br /> <br /> iA Id -Id iB T3 T6 iC T5 T2 t T1 T/2 T4<br /> 2π 3<br /> <br /> T<br /> <br /> t<br /> <br /> t<br /> <br /> iG1 iG2 iG3 iG4 iG5 iG6 0<br /> <br /> iG1<br /> <br /> t<br /> <br /> θ1 θ 2 θ 3 θ 4 θ 5 θ 6<br /> <br /> 3<br /> <br /> Trình bày tổ chức bộ nhớ của 128 byte RAM trong 89C51. Vùng RAM đa mục đích : Bytes RAM đa dụng từ 30H đến 7FH. Bất kỳ vị trí nào trong RAM đa dụng cũng có thể truy xuất dùng chế độ địa chỉ trực tiếp hoặc gián tiếp. Vùng RAM định địa chỉ bit: 8051 có chứa 210 vị trí bit có thể địa chỉ hoá trong đó 128 bit ở địa chỉ 20H đến 2FH còn lại nằm trong thanh ghi chức năng đặc biệt. Có 128 vị trí có thể địa chỉ hoá dùng chung từ byte có địa chỉ 20FH đến 2FH (8 bits x 16 bytes = 128 bits). Các địa chỉ được truy xuất khi là byte khi là bit tuỳ thuộc vào lệnh sử dụng. Các dãy thanh ghi: 32 vị trí thấp nhất của bộ nhớ nội chứa các dãy thanh ghi. Tập lệnh của 8051 cung cấp 8 thanh ghi, từ R0 đến R7. Trạng thái mặc định (sau khi hệ thống khởi động) các thanh ghi này ở địa chỉ 00H-07H. Bằng cách thay đổi các bit chọn dãy thanh ghi trong từ trạng thái chương trình ta sẽ thay đổi mức tích cực cho dãy thanh ghi. Viết chương trình xóa 20 ô nhớ liền kề trên RAM nội có địa chỉ bắt đầu là 30H. 1 0,5 0,5 0,5<br /> <br /> 0,5<br /> <br /> MOV R0, #30H MOV R2, #20 LOOP: MOV @R0, #00 INC R0 DJNZ R2, LOOP Cộng ( I ) II. Phần tự chọn, do trường ra đề 3<br /> <br /> Cộng ( II ) Tổng cộng ( I + II ) …………..,Ngày………..tháng…………năm…….<br /> Duyệt Hội đồng thi tốt nghiệp Tiểu ban ra đề thi<br /> <br />