Tóm tắt Luận án Tiến sĩ Kỹ thuật viễn thông: Nghiên cứu, phát triển bộ lọc thông dải, bộ pha công suất, anten sử dụng đường truyền phức hợp, vòng cộng hưởng và hiệu ứng viền của siêu vật liệu

BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO<br /> TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI<br /> <br /> ĐẶNG NHƯ ĐỊNH<br /> <br /> NGHIÊN CỨU, PHÁT TRIỂN BỘ LỌC THÔNG DẢI, BỘ CHIA CÔNG<br /> SUẤT, ANTEN SỬ DỤNG ĐƯỜNG TRUYỀN PHỨC HỢP, VÒNG<br /> CỘNG HƯỞNG VÀ HIỆU ỨNG VIỀN CỦA SIÊU VẬT LIỆU<br /> <br /> Chuyên ngành: Kỹ thuật Viễn thông<br /> Mã số: 62520208<br /> <br /> TÓM TẮT LUẬN ÁN TIẾN SĨ KỸ THUẬT VIỄN THÔNG<br /> <br /> Hà Nội – 2017<br /> <br /> Công trình được hoàn thành tại:<br /> Trường Đại học Bách Khoa Hà Nội<br /> <br /> Người hướng dẫn khoa học:<br /> 1. TS. HOÀNG PHƯƠNG CHI<br /> 2. PGS. TS. ĐÀO NGỌC CHIẾN<br /> <br /> Phản biện 1:………………………………………………<br /> Phản biện 2:………………………………………………<br /> Phản biện 3:………………………………………………<br /> <br /> Luận án được bảo vệ trước Hội đồng đánh giá luận án<br /> tiến sĩ cấp Trường họp tại Trường Đại học Bách Khoa Hà Nội<br /> Vào hồi ….. giờ, ngày ….. tháng ….. năm ……….<br /> <br /> Có thể tìm hiểu luận án tại thư viện:<br /> 1. Thư viện Tạ Quang Bửu – Trường Đại học Bách Khoa Hà Nội<br /> 2. Thư viện Quốc gia<br /> <br /> MỞ ĐẦU<br /> 1. Siêu vật liệu điện từ và ứng dụng trong thiết kế mô-đun siêu cao tần<br /> Kỹ thuật siêu cao tần đã có những tiến bộ vượt bậc trong những năm gần đây và vẫn đang<br /> không ngừng được phát triển. Công nghệ vi dải in trên đế điện môi ra đời đã giải quyết được vấn đề<br /> thu nhỏ kích thước của anten, đồng thời cũng mở ra một xu hướng thiết kế các mô-đun siêu cao tần<br /> khác như bộ lọc cao tần thụ động, bộ chia công suất, bộ ghép định hướng, .v.v. nhằm nâng cao khả<br /> năng tích hợp mô-đun siêu cao tần vào các thiết bị của hệ thống truyền thông vô tuyến. Trong thiết<br /> kế mô-đun siêu cao tần sử dụng công nghệ mạch dải, chẳng hạn anten vi dải thì thông thường là<br /> kích thước của anten phải lớn hơn hoặc xấp xỉ một phần tư bước sóng (λ/4) ở dải tần hoạt động.<br /> Điều này có vẻ như không phù hợp khi kích thước λ/4 vẫn còn khá lớn so với kích thước ngày càng<br /> nhỏ gọn của thiết bị.<br /> Năm 2000, nhóm nghiên cứu gồm có Smith, Schultz và các đồng nghiệp đã chứng minh được<br /> rằng có thể tạo ra loại vật liệu mới có chiết suất âm (n