Tóm tắt luận văn Thạc sĩ Hóa học: Vai trò của lớp đệm Halogenua đối với sự hình thành màng đơn lớp Phorphyrin trên bề mặt đơn tinh thể đồng trong hệ điện hóa

Chia sẻ: Nguyễn Thị Hồng Vân | Ngày: | Loại File: DOCX | Số trang:27

Thêm vào BST

Báo xấu

46
lượt xem 5
download

Download Vui lòng tải xuống để xem tài liệu đầy đủ

Luận văn với mục tiêu: khảo sát ảnh hưởng của lớp đệm Halogenua đối với sự hình thành màng đơn lớp TAP trên bề mặt điện cực Cu(111) và nghiên cứu ứng dụng của chúng cho quá trình khử O2. Mời các bạn cùng tham khảo tóm tắt luận văn để nắm chi tiết nội dung.

Chủ đề:

Bình luận(0) Đăng nhập để gửi bình luận!

Lưu

Nội dung Text: Tóm tắt luận văn Thạc sĩ Hóa học: Vai trò của lớp đệm Halogenua đối với sự hình thành màng đơn lớp Phorphyrin trên bề mặt đơn tinh thể đồng trong hệ điện hóa

BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC QUY NHƠN NGUYỄN THỊ HỒNG VÂN VAI TRÒ CỦA LỚP ĐỆM HALOGENUA ĐỐI VỚI SỰ HÌNH THÀNH MÀNG ĐƠN LỚP PHORPHYRIN TRÊN BỀ MẶT ĐƠN TINH THỂ ĐỒNG TRONG HỆ ĐIỆN HÓA Chuyên ngành: Hóa Vô cơ Mã số: 84 40 113 TÓM TẮT LUẬN VĂN THẠC SĨ HÓA HỌC Bình Định, năm 2018
Công trình được hoàn thành tại TRƯỜNG ĐẠI HỌC QUY NHƠN Người hướng dẫn : 1. TS. HUỲNH THỊ MIỀN TRUNG 2. PGS.TS. NGUYỄN PHI HÙNG Phản biện 1:.......................................................................... Phản biện 2:.......................................................................... Luận văn được bảo vệ tại Hồi đồng đánh giá luận văn thạc sĩ chuyên ngành Hóa Vô cơ ngày .... tháng ... năm 2018 tại Trường Đại học Quy Nhơn. Có thể tìm hiểu luận văn tại: Trung tâm Thông tin tư liệu, Trường Đại học Quy Nhơn Khoa Hóa, Trường Đại học Quy Nhơn
3 MỞ ĐẦU 1. Lí do chọn đề tài Việc chế tạo màng mỏng có cấu trúc hai chiều trên bề mặt đơn tinh thể bởi đơn lớp phân tử hữu cơ tự sắp xếp từ các phân tử riêng lẻ đã và đang trở thành một trong những phương pháp quan trọng trong điều chế các hệ vật liệu nano. Đặc biệt, việc kiểm soát quá trình tự sắp xếp của các màng đơn lớp trên bề mặt đơn tinh thể dẫn điện hoặc bán dẫn là một trong những yếu tố then chốt cho quá trình thiết kế và chế tạo các thiết bị điện tử kích thước nano. Cùng với sự ra đời của kính hiển vi quét xuyên hầm (STM) năm 1981 và hiển vi quét xuyên hầm điện hóa (ECSTM) năm 1988 đã cho phép các nhà khoa học nghiên cứu cấu trúc bề mặt vật liệu ở cấp độ nguyên/phân tử. Các porphyrin được biết đến là những chất màu quan trọng trong một số quá trình tự nhiên. Đặc biệt, porphyrin trong chất diệp lục của lá cây tồn tại dưới dạng màng và đóng vai trò chính cho sự hấp thụ photon ánh sáng trong quá trình quang hợp của cây xanh. Vì vậy, loại màng này được cho là có thể ứng dụng vào các thiết bị điện tử có kích thước nano mô phỏng theo sự tồn tại của chúng trong tự nhiên, chẳng hạn làm đầu dò trong cảm biến khí và cảm biến sinh học hay làm màng chuyển đổi trong pin nhiên liệu và pin mặt trời. Đến thời điểm hiện tại, có 3 hướng nghiên cứu chính về màng đơn lớp porphyrin tự sắp xếp: + Ảnh hưởng của bề mặt đơn tinh thể + Vai trò của nguyên tử kim loại liên kết ở tâm các porphyrin +Ảnh hưởng của các nhóm chức ngoại vi
4 Tuy nhiên, hầu như chưa có nghiên cứu về ảnh hưởng của điện tích nhóm chức lên cấu trúc bề mặt và tính chất điện hóa của màng porphyrin được công bố. + Ngoài ra, còn có một vài nghiên cứu khác về ảnh hưởng của nhiệt độ, dung môi, độ pH, chất pha tạp, … lên sự hình thành và tính bền vững của màng đơn lớp porphyrin. Như đã trình bày ở trên, màng đơn lớp porphyrin được ứng dụng rộng rãi trong các thiết bị điện tử kích thước nano. Tuy nhiên, tính bền vững và khả năng hoạt động của chúng trong môi trường không khí có độ ẩm cao môi trường hoạt động thực của các thiết bị điện tử, vẫn là một câu hỏi mở. Do đó, việc mở rộng những nghiên cứu về màng đơn lớp porphyrin ở cấp độ phân tử trong môi trường thực là cần thiết. Các nghiên cứu trong hệ điện hóa được xem như mô hình lý tưởng để kiểm chứng khả năng hoạt động của màng đơn lớp porphyrin trong điều kiện thực. Phân tử 5,10,15,20tetrakis(4trimethyl ammonium phenyl) porphyrin (viết tắt là TAP) chứa bốn nhóm chức trimethyl ammonium phenyl [C6H5(CH3)3N]+ có tính phân cực cao ở ngoại vi . Sự có mặt của các nhóm này được dự đoán sẽ làm thay đổi đáng kể tính chất của màng đơn lớp TAP so với màng porphyrin cơ bản (porphin). Tuy nhiên, rất ít nghiên cứu về cấu trúc màng đơn lớp TAP ở cấp độ nguyên tử/phân tử được công bố tính đến thời điểm hiện tại. Hơn thế nữa, các anion vô vơ được cho là ảnh hưởng trực tiếp đến khả năng hấp phụ của porphyrin trong dung dịch. Từ những nhận định khoa học trên, tôi quyết định chọn đề tài: “Vai trò của lớp đệm halogenua đối với sự hình thành màng đơn lớp porphyrin trên bề mặt đơn tinh thể đồng trong hệ điện hóa” cho luận văn thạc sĩ của mình.
5 2. Mục tiêu nghiên cứu Khảo sát ảnh hưởng của lớp đệm halogenua đối với sự hình thành màng đơn lớp TAP trên bề mặt điện cực Cu(111) và nghiên cứu ứng dụng của chúng cho quá trình khử O2. 3. Đối tượng và phạm vi nghiên cứu 3.1. Đối tượng nghiên cứu Màng đơn lớp của phân tử TAP trên lớp đệm halogenua (halogenua là clorua, bromua, iotua). 3.2. Phạm vi nghiên cứu Nghiên cứu thực hiện trên quy mô phòng thí nghiệm. 4. Nội dung nghiên cứu 4.1. Chế tạo vật liệu Các hệ vật liệu màng đơn lớp TAP/halogenua/Cu(111). 4.2. Đặc trưng vật liệu Khảo sát tính chất điện hóa, hình thái học và cấu trúc bề mặt của các hệ vật liệu ở cấp độ nguyên tử/phân tử. Khảo sát ứng dụng khử O2 của hệ vật liệu TAP/Cl/Cu(111). 5. Phương pháp nghiên cứu 5.1. Phương pháp chế tạo vật liệu Các hệ vật liệu được chế tạo bằng phương pháp lắng đọng điện hóa. 5.2. Phương pháp đặc trưng vật liệu Tính chất điện hóa của các hệ vật liệu được khảo sát bằng phương pháp thế quét vòng tuần hoàn (CV). Hình thái học và cấu trúc bề mặt của các màng đơn lớp được đặc trưng bằng phương pháp hiển vi quét xuyên hầm điện hóa (ECSTM). Ứng dụng khử O2 của hệ vật liệu TAP/Cl/Cu(111) được khảo sát bằng phương pháp quét thế tuyến tính (LSV).
6 Các phép đo CV, LSV được thực hiện tại Phòng thí nghiệm Khoa Hóa và Khoa Vật lý, Trường Đại học Quy Nhơn. Phép đo ECSTM được thực hiện ở KU Leuven, Bỉ. 6. Ý nghĩa khoa học Bổ sung kiến thức về ảnh hưởng của các yếu tố tương tác hấp phụ và bản chất bề mặt điện cực lên sự hình thành và tính bền vững của các màng đơn lớp TAP. Chế tạo các vật liệu mới và cung cấp những thông tin về khả năng ứng dụng của chúng trong các thiết bị điện tử. 7. Cấu trúc luận văn Mở đầu Chương 1: Tổng quan Chương 2: Thực nghiệm Chương 3: Kết quả và thảo luận Kết luận CHƯƠNG I: TỔNG QUAN 1.1. GiỚI THIỆU VỀ PORPHYRIN 1.2. GIỚI THIỆU VỀ ĐỒNG 1.3. QUÁ TRÌNH TỰ SẮP XẾP CÁC PHÂN TỬ PHÂN TỬ HỮU CƠ TRÊN BỀ MẶT KIM LOẠI 1.4. CÁC PHƯƠNG PHÁP ĐẶC TRƯNG VẬT LIỆU CHƯƠNG 2: THỰC NGHIỆM 2.1. HÓA CHẤT 2.2. DỤNG CỤ, THIẾT BỊ 2.3. CHUẨN BỊ HÓA CHẤT 2.4. CHẾ TẠO VẬT LIỆU
7 2.5. KHẢO SÁT TÍNH CHẤT ĐIỆN HÓA CỦA HỆ VẬT LIỆU BẰNG PHƯƠNG PHÁP CV 2.6. NGHIÊN CỨU ỨNG DỤNG KHỬ OXI CỦA MÀNG TAP BẰNG PHƯƠNG PHÁP QUÉT THẾ TUYẾN TÍNH (LSV) 2.7. KHẢO SÁT CẨU TRÚC BỀ MẶT MÀNG ĐƠN LỚP TAP BẰNG PHƯƠNG PHÁP ECSTM CHƯƠNG 3: KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN 3.1. SỰ HẤP PHỤ CỦA CÁC HALOGENUA TRÊN BỀ MẶT Cu(111) Hình 3.1 mô tả CV của Cu(111) trong các dung dịch chứa các halogenua là dung dịch KCl 10 mM + H 2SO4 5 mM, dung dịch KBr 10 mM + H2SO4 5mM và dung dịch KI 10 mM + H2SO4 5 mM.
8 Hình 3.1: CV của Cu(111) trong các dung dịch halogenua: Clorua, bromua và iotua Vùng điện thế của Cu(111) trong các dung dịch trên giới hạn bởi phản ứng oxi hóa hòa tan Cu (CDR) và phản ứng khử tạo thành khí hiđro (HER). Các cặp pic thuận nghịch tại các giá trị điện thế 0,74 V và 0,42 V đối với clorua và 0,75 V và 0,65 V đối với bromua được cho là gây nên bởi sự giải hấp và tái hấp phụ của clorua và bromua xảy ra trên bề mặt Cu. Tuy nhiên, trong trường hợp của iotua, không có sự xuất hiện của các pic hấp phụ giải hấp. Có thể quá trình giải hấp của iotua xảy ra trong vùng thế HER. Hình 3.2: Hình thái học bề mặt và cấu trúc nguyên tử của các halogen hấp phụ trên Cu(111): a, b) Clorua, It = 1 nA, Ub = 50 mV; c, d) Bromua, It = 2 nA, Ub = 55 mV; e, f) Iotua, It = 3 nA, Ub = 40 mV
9 Sự gi ải h ấp – tái hấp phụ của các halogenua làm thay đổ i hình thái học b ề m ặt c ủa Cu(111). Cụ thể là khi có m ặt c ủa các halogenua, các đườ ng biên (stepedge) đị nh hướ ng có tr ật t ự, song song v ới h ướ ng c ủa các hàng chứ a các nguyên tử halogenua và chúng t ạo v ới nhau các góc 120 ± 10 (Hình 3.2). Tuy nhiên, khi không có m ặt c ủa các halogenua, các nguyên tử Cu t ại đườ ng biên khá linh động và do đó các đườ ng biên không có hình d ạng rõ ràng. Ở cấp độ nguyên t ử, hình ảnh EC –STM cho th ấy halogenua hấp ph ụ m ạnh trên bề m ặt điệ n cự c Cu(111) và tạo thành màng đơn l ớp có cấu trúc xác đị nh: c(p × )R30 ( Hình 3.2). 3.2. ẢNH HƯỞNG CỦA CLORUA ĐỐI VỚI SỰ HÌNH THÀNH MÀNG ĐƠN LỚP PORPHYRIN TRÊN BỀ MẶT Cu(111) 3.2.1. Tính chất điện hóa của phân tử TAP trong dung dịch đệm của clorua Hình 3.3 biểu diễn CV của Cu(111) trong dung dịch đệm của clorua (KCl 10 mM + H2SO4 5mM) (đường màu đen) và trong dung dịch đệm chứa phân tử TAP (TAP 1mM + KCl 5mM + H2SO4 5mM) (đường màu đỏ). CV của Cu(111) trong dung dịch đệm của clorua được đặc trưng bởi ba vùng: (i) vùng hòa tan đồng (CDR) ở điện thế dương, (ii) vùng hấp phụ giải hấp của clorua đặc trưng bởi cặp pic thuận nghịch tại –0,42 V và –0,74 V, và (iii) vùng hiđro bay hơi (HER) ở điện thế âm. Sự có m ặt của phân tử TAP trong dung d ịch điệ n phân dẫn đế n sự xu ất hi ện các pic khử P 1 t ại E = −0,54 V và pic P 2 t ại E = −0,76 V. Pic P 2 xảy ra t ại vùng thế gi ải h ấp c ủa clorua nhưng có cườ ng độ lớn hơn so v ới khi không có phân tử
10 porphyrin trong dung d ịch. Do đó, cả hai pic ở vùng thế âm này đượ c cho là liên quan đế n quá trình khử c ủa phân tử TAP. Bên cạnh đó, phản ứng HER dịch chuy ển v ề vùng thế âm khoảng 25 mV, đi ều này có nghĩa là các phân tử TAP làm chậm quá trình HER. Hình 3.3: CV của Cu(111) trong dung dịch đệm của clorua và trong dung dịch đệm chứa phân tử TAP Khác với các porphyrin khác, phân tử TAP có khả năng tan trong nước. Sau khi được hòa tan trong dung dịch nước có tính axit, TAP tham gia quá trình proton hóa, tạo thành điaxit bền theo phương trình: TAP(0) + 2H+ ↔ [H2TAP(0)]2+
11 Khi điện thế được quét về vùng âm hơn, TAP và [H2TAP(0)]2+ được cho là trải qua các quá trình khử tương ứng với các pic khử P1 và P2 (Hình 3.3) với sự tham gia của tổng cộng 6 electron trao đổi. Pic P1 ứng với quá trình khử đầu tiên của TAP và [H2TAP(0)]2+ với sự tham gia của 2 electron: Hình 3.4: Quá trình khử thứ nhất của phân tử TAP Pic P2 tương ứng với quá trình khử thứ hai của TAP là sự trao đổi của 4 electron theo sơ đồ sau:
12 Hình 3.5: Quá trình khử thứ hai của phân tử TAP Có thể nhận thấy rằng trong điều kiện hấp phụ cạnh tranh, tức là dung dịch chứa đồng thời clorua và TAP thì CV của Cu(111) vẫn chứa các pic hấp phụ và giải hấp đặc trưng của clorua. Điều này chứng tỏ clorua hấp phụ trên bề mặt Cu(111) nhanh hơn so với TAP và lớp halogen này đóng vai trò là lớp đệm đối với sự hấp phụ của TAP trên bề mặt Cu(111). 3.2.2. Cấu trúc bề mặt của màng đơn lớp TAP trên lớp đệm clorua Như đã đề cập phần 3.2.1, khi điện cực Cu(111) tiếp xúc với dung dịch điện phân chứa phân tử TAP, các anion clorua hấp phụ trước và tạo thành cấu trúc trên bề mặt Cu(111). Hình ảnh ECSTM thu được cho thấy các phân tử TAP sắp xếp một cách có trật tự bên trên lớp đệm clorua, hình thành các miền phân tử trên toàn bộ bề mặt của điện cực (Hình 3.6). Góc tự hình
13 thành tại đường biên (Hình 3.6a) là 120 ± 10 chứng tỏ sự hấp phụ của TAP trên bề mặt không làm ảnh hưởng đến cấu trúc của lớp đệm clorua phía dưới. Các miền phân tử quan sát được sắp xếp tịnh tiến (Ia và Ib, Hình 3.6a) hoặc lệch nhau 120 ± 10 (Ia và Ic, Hình 3.6a). Các phân tử trong cùng một miền sắp xếp thành các hàng song song với đường biên, nghĩa là song song với các hàng clorua ở lớp đệm. Trên cơ sở các phép đo line profile (LP) ( Hình 3.6c), khoảng cách giữa các phân tử trên cùng một hàng là 1,75 0,1 nm. Hình ảnh EC STM ở độ phân giải cao cho thấy mỗi phân tử TAP riêng lẻ (Hình 3.6b) có dạng hình vuông và rỗng ở tâm chứng tỏ các phân tử TAP nằm ngang trên bề mặt lớp đệm.
14 Hình 3.6: ab) Hình thái học và cấu trúc bề mặt của màng đơn lớp TAP trên lớp đệm clorua, It = 0,3 nA, Ub = 150 mV; c) Phép đo LP cho thấy khoảng cách giữa hai phân tử TAP là 1,75 ± 0,1 nm Ô mạng cơ sở của màng đơn lớp TAP được mô tả bằng ma trận (3 x 4) so với cấu trúc của lớp đệm clorua. Kết quả là hằng số mạng của đơn lớp TAP được xác định lần lượt là 0,1 nm và 0,1 nm. Mô hình mô tả sự hình thành màng đơn lớp TAP trên lớp đệm clorua được đưa ra ở hình 3.7. Từ đó, mật độ phân tử TAP được xác định là 2,8 x 1013 phân tử/cm2.
15 Hình 3.7: Mối quan hệ về sự sắp xếp của đơn lớp TAP với lớp đệm clorua, a) It = 0,2 nA, Ub = 180 mV, b) It = 3 nA, Ub = 20 mV; c) Mô hình cấu trúc của màng đơn lớp TAP hình thành trên bề mặt 3.2.3. Quá trình giải hấp và tái hấp phụ của màng đơn lớp TAP trên lớp đệm clorua Như đã đề cập ở phần 3.2.1, khi điện thế được quét về hướng âm, phân tử TAP trải qua hai quá trình khử đi kèm với sự thay đổi về mật độ electron của màng đơn lớp. Kết quả là khi điện thế được quét qua đỉnh pic P 1, quá trình giải hấp của các phân tử TAP xảy ra trên bề mặt lớp đệm clorua do tương tác tĩnh điện giữa chúng với lớp đệm giảm (Hình 3.8ac). Nếu điện thế được tiếp tục quét qua pic P2, các phân tử TAP gần như giải hấp hoàn
16 toàn (Hình 3.8d). Bên cạnh đó, tính định hướng của đường biên giảm chứng tỏ clorua cũng giải hấp khỏi bề mặt của Cu(111). Hình 3.8: Quá trình giải hấp của TAP trên Cl/Cu(111), It = 0,1 nA, Ub = 200 mV Khi điện thế được quét ngược về hướng dương và qua pic tái hấp phụ của clorua, các phân tử TAP hấp phụ và tự sắp xếp trở lại trên bề mặt lớp đệm clorua (Hình 3.9). Hình 3.9: Quá trình tái hấp phụ của TAP trên Cl/Cu(111), It = 0,1 nA, Ub = 200 mV 3.3. ẢNH HƯỞNG CỦA BROMUA ĐỐI VỚI SỰ HÌNH THÀNH MÀNG ĐƠN LỚP TAP TRÊN BỀ MẶT Cu(111) 3.3.1. Tính chất điện hóa của phân tử TAP trong dung dịch đệm của bromua Hình 3.10 mô tả CV của Cu(111) trong dung dịch đệm của bromua (KBr 10 mM + H2SO4 5 mM) (đường màu đen đứt) và trong dung dịch đệm của bromua chứa phân tử TAP (TAP 1 mM + KBr 10 mM +
17 H2SO4 5 mM) (đường màu xanh lá). Vùng điện thế của Cu(111) trong dung dịch chứa TAP cũng được giới hạn bởi phản ứng CDR và phản ứng HER. CV của Cu(111) trong dung dịch chứa phân tử TAP có nhiều điểm khác biệt so với trong dung dịch đệm. Thứ nhất, pic giải hấp đặc trưng của bromua không còn được quan sát trong vùng điện thế giới hạn. Do đó, pic tái hấp phụ của bromua không xuất hiện khi điện thế được quét ngược về hướng dương. Thứ hai, sự xuất hiện của hai pic P1 và P2 được cho là liên quan đến quá trình khử của phân tử TAP theo phương trình 3.23.6 trong phần 3.2.1. Hình 3.10: CV của Cu(111) trong dung dịch đệm của bromua và trong dung dịch đệm chứa phân tử TAP
18 3.3.2. Cấu trúc bề mặt của màng đơn lớp TAP trên lớp đệm bromua Kết quả ECSTM thu được cho thấy tương tự như sự hấp phụ của TAP trên lớp đệm clorua, góc tự hình thành tại đường biên của các lớp Cu là 120 ± 10 (Hình 3.11a) chứng tỏ trong điều kiện hấp phụ cạnh tranh tức là cùng có cả bromua và phân tử TAP trong dung dịch, bromua cũng hấp phụ trên bề mặt Cu(111) trước, tạo thành hệ Br/Cu(111). Giống như lớp clorua, lớp bromua trên bề mặt Cu cũng đóng vai trò như lớp đệm đối với sự hấp phụ của các phân tử TAP. Các phân tử TAP hấp phụ trên toàn bộ bề mặt lớp đệm và hình thành các miền phân tử tịnh tiến (Ia và Ib , Hình 3.11b) hoặc lệch nhau 120 ± 10 (Ia và Ic, Hình 3.11b). Trong mỗi miền, các hàng phân tử TAP chạy song song với các hàng bromua bên dưới. Như vậy, về cơ bản cấu trúc bề mặt của màng TAP trên clorua và bromua là giống nhau. Hình 3.11: Hình thái học và cấu trúc bề mặt màng đơn lớp TAP ở cấp độ phân tử trên lớp đệm bromua, It = 0,1 nA, Ub = 280 mV, E = 0,3 V
19 Thông qua phép đo ECSTM ở các điều kiện khác nhau để xác định mỗi quan hệ về mặt cấu trúc giữa màng TAP và lớp đệm bromua (Hình 3.12), mỗi ô cơ sở của màng TAP chứa một phân tử có thể được mô tả bằng ma trận (3 x 3) tương ứng với cấu trúc mạng của lớp đệm bromua. Hằng số mạng của ô cơ sở được xác định là 0,1 nm và 0,1 nm. Hình 3.12: Mối quan hệ giữa màng TAP và lớp đệm bromua trên Cu(111) tại E = 0,35 V: a) Đơn lớp TAP, It = 0,2 nA, Ub = 200 mV; b) Lớp đệm bromua, It = 2 nA, Ub = 100 mV; c) Mô hình cấu trúc của màng đơn lớp TAP hình thành trên bề mặt Br/Cu(111)
20 3.3.3. Quá trình giải hấp và tái hấp phụ của màng đơn lớp TAP trên lớp đệm bromua Để làm sáng tỏ vai trò của lớp đệm halogenua đối với quá trình hấp phụ của TAP, chúng tôi thực hiện phép đo ECSTM về sự hấp phụ giải hấp – tái hấp phụ của TAP trên Br/Cu(111) bằng cách quét thế tuần hoàn trong khoảng 0,3 V và 0,60 V (Hình 3.13). Hình ảnh ECSTM ghi lại quá trình này được thực hiện tại các giá trị điện thế giống như trong phép đo trên Cl/Cu(111) được trình bày trong phần 3.2.3. Hình 3.13: Quá trình chuyển pha của màng đơn lớp TAP trên lớp đệm bromua, It = 0,1 nA, Ub = 200 mV Sự giải hấp của TAP trên Br/Cu(111) cũng xảy ra khi điện thế được quét qua đỉnh pic P1 tương tự như trên Cl/Cu(111). Tuy nhiên, khi điện thế được tiếp tục quét về hướng âm, quá trình giải hấp tiếp theo của TAP trên Br/Cu(111) xảy ra nhanh hơn trên Cl/Cu(111).