i
B GIÁO DC ĐÀO TO B QUC PHÒNG
VIN KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ QUÂN SỰ
TRN TH TRÂM
NGHIÊN CỨU NG DỤNG CÔNG NGHỆ VT LIU NN SIW
ĐỂ NÂNG CAO CHẤT LƢỢNG MT S PHN T
SIÊU CAO TẦN TRONG ĐÀI RA ĐA
LUẬN ÁN TIẾN SĨ KỸ THUẬT
HÀ NỘI-2023
ii
B GIÁO DC ĐÀO TO B QUC PHÒNG
VIN KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ QUÂN SỰ
TRN TH TRÂM
NGHIÊN CỨU NG DỤNG CÔNG NGHỆ VT LIU NN SIW
ĐỂ NÂNG CAO CHẤT LƢỢNG MT S PHN T
SIÊU CAO TẦN TRONG ĐÀI RA ĐA
Ngành: Kỹ thuật Ra đa dẫn đường
Mã số: 9 52 02 04
LUẬN ÁN TIẾN SĨ KỸ THUẬT
NGƢỜI HƢỚNG DN KHOA HC:
1. PGS. TS Lê Vĩnh Hà
2. TS Dƣơng Tuấn Vit
HÀ NỘI- 2023
i
LỜI CAM ĐOAN
Tôi xin cam đoan đây ng trình nghn cứu ca riêng i i s
ng dn ca tp th giáo viên ng dn. c số liu, kết qu nghn cứu
trong luận án y là hoàn toàn trung thực chưa từng được ai công bố trong
bt k công trình o khác, các dữ liu tham khảo được trích dẫn đầy đủ.
Tác giả luận án
Trn Th Trâm
ii
LI CẢM ƠN
Luận án được thc hin ti Vin Khoa học Công nghệ quân s/B
Quốc phòng.
Tôi xin bày tỏ lòng biết ơn u sc ti PGS. TS Vĩnh , TS
Dương Tuấn Vit, các thầy đã định hướng, tận tình hướng dn, truyn
đạt kinh nghim, kiến thc khoa học, giúp đỡ kiểm tra đánh giá kết qu
trong suốt quá trình nghiên cứu và hoàn thiện luận án.
Tôi xin trân trọng cảm ơn Th trưởng Vin Khoa học Công nghệ
quân sự, Phòng Đào tạo, Viện Ra đa đã tạo điều kin thun li, h tr giúp
đỡ tôi trong suốt quá trình học tập, nghiên cứu thc hin luận án.
Xin chân thành cảm ơn các Thầy giáo trong Viện Ra đa, Viện Khoa
học Công nghệ quân sự, Hc vin K thut quân sự, Đại học ng
nghệ, Đại học Bách khoa Nội các nhà khoa học, chuyên gia đã cho
tôi những li khuyên, những ý kiến đóng góp quý báu.
Cuối cùng, tôi xin gi li cảm ơn sâu sắc tới gia đình, bạn bè, đồng
nghiệp đã cho tôi đim ta vng chc, s động viên lớn lao giúp tôi hoàn
thành luận án này.
Tác giả luận án
Trn Th Trâm
iii
MỤC LỤC
Trang
DANH MỤC CÁC KÝ HIỆU, CÁC CHỮ VIT TT ..................................... vi
DANH MỤC CÁC BNG .................................................................................. ix
M ĐU ............................................................................................................... 1
Chương 1. TNG QUAN V CÔNG NGHỆ VT LIU NN ..................... 7
1.1. Tng quan v công nghệ vt liu nn ........................................................ 8
1.1.1. Gii thiu chung v công nghệ vt liu nn ....................................... 8
1.1.2. Công nghệ di chn điện t EBG........................................................ 8
1.1.3. Công nghệ cấu trúc mặt đế khuyết DGS ........................................... 13
1.1.4. Công nghệ ống dẫn sóng tích hợp vt liu nn SIW......................... 16
1.2. Phân tích các yếu t ảnh hưởng đến chất lượng của các phần t siêu cao
tn khi ng dụng công nghệ SIW ................................................................ 22
1.2.1. Tn hao trong SIW ............................................................................ 22
1.2.2. Công nghệ chế tạo cho các phần t SIW .......................................... 25
1.2.3. Kích thước và băng thông của cấu trúc SIW ................................... 25
1.3. Mt s k thut s dng trong luận án ..................................................... 30
1.3.1. Nguyên lý gây nhiễu trong các hc cộng hưởng [32] ....................... 30
1.3.2. Nguyên lý di pha thực hiện trên SIW ............................................... 32
1.3.3. Nguyên lý về b dao động VCO ....................................................... 34
1.4. Tng hợp, đánh gkhái quát các nghiên cu v ng dụng công nghệ vt
liu nn ........................................................................................................ 35
1.4.1. Tình hình nghiên cứu ngoài nước ..................................................... 35
1.4.2. Tình hình nghiên cứu trong nước ...................................................... 38
1.5. Định hướng nghiên cứu ............................................................................ 38
1.6. Kết lun Chương 1 ................................................................................... 39
Chương 2. NGHIÊN CỨU NG DỤNG CÔNG NGHỆ SIW ĐỂ NÂNG
CAO CHT LƯỢNG CÁC PHẦN T SIÊU CAO TẦN ......................... 40